Дмитриев Дмитрий Владимирович
# |
Название |
Период |
Количество |
1 |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
2012 - 2019
|
6
|
2 |
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
|
2013
|
2
|
Статьи в журналах - 5
,
Тезисы докладов - 2
,
Доклады на конференциях - 2
Статьи в журналах (5)
Подробнее
1
|
Aksenov M.S.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Dmitriev D.V.
,
Nedomolkina A.A.
,
Valisheva N.A.
Anodic Layer Formation on the InAlAs Surface in Townsend Gas-Discharge Plasma
Materials Science in Semiconductor Processing. 2019.
V.102. 104611
:1-5. DOI: 10.1016/j.mssp.2019.104611
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Chistokhin I.B.
,
Aksenov M.S.
,
Valisheva N.A.
,
Dmitriev D.V.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018.
V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Tereshchenko O.E.
,
Golyashov V.A.
,
Eremeev S.V.
,
Maurin I.
,
Bakulin A.V.
,
Kulkova S.E.
,
Aksenov M.S.
,
Preobrazhenskii V.V.
,
Putyato M.A.
,
Semyagin B.R.
,
Dmitriev D.V.
,
Toropov A.I.
,
Gutakovskii A.K.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Prosvirin I.P.
,
Kalinkin A.V.
,
Bukhtiyarov V.I.
,
Latyshev A.V.
Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications
Applied Physics Letters. 2015.
V.107. 123506
:1-5. DOI: 10.1063/1.4931944
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Терещенко О.Е.
,
Паулиш А.Г.
,
Неклюдова М.А.
,
Шамирзаев Т.С.
,
Ярошевич А.С.
,
Просвирин И.П.
,
Жаксылыкова И.Э.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Варнаков С.Н.
,
Рауцкий М.В.
,
Волков Н.В.
,
Овчинников С.Г.
,
Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012.
Т.38. №1. С.27-36.
РИНЦ
|
5
|
Tereshhenko O.E.
,
Paulish A.G.
,
Neklyudova M.A.
,
Shamirzaev T.S.
,
Yaroshevich A.S.
,
Prosvirin I.P.
,
Zhaksylykova I.
,
Dmitriev D.V.
,
Toropov A.I.
,
Varnakov S.N.
,
Rautskii M.V.
,
Volkov N.V.
,
Ovchinnikov S.G.
,
Latyshev A.V.
Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin
Technical Physics Letters. 2012.
V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154
WOS
Scopus
РИНЦ
|
Тезисы докладов (2)
Подробнее
1
|
Просвирин И.П.
,
Кулькова С.Е.
,
Бакулин А.В.
,
Бухтияров В.И.
,
Калинкин А.В.
,
Валишева Н.А.
,
Аксёнов М.С.
,
Торопов С.Н.
,
Дмитриев Д.В.
,
Семягин Б.Р.
,
Путято М.А.
,
Преображенский В.В.
,
Голяшов В.А.
,
Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
В сборнике
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур.
2014.
– C.72.
|
2
|
Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике
Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь».
– ИНХ СО РАН.,
2013.
– C.80. – ISBN 9785901688281.
|
Доклады на конференциях (2)
Подробнее
1
|
Просвирин И.П.
,
Кулькова С.Е.
,
Бакулин А.В.
,
Бухтияров В.И.
,
Калинкин А.В.
,
Валишева Н.А.
,
Аксёнов М.С.
,
Торопов С.Н.
,
Дмитриев Д.В.
,
Семягин Б.Р.
,
Путято М.А.
,
Преображенский В.В.
,
Голяшов В.А.
,
Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур
15-18 Sep 2014
|
2
|
Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 Oct 2013
|