Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Дмитриев Дмитрий Владимирович

Аффилиации

# Название Период Количество
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН grid.450314.7 2012 - 2019 6
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет grid.4605.7 2013 2

Научная деятельность

Статьи в журналах - 5 , Тезисы докладов - 2 , Доклады на конференциях - 2

Статьи в журналах (5) Подробнее

1 Aksenov M.S. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Dmitriev D.V. , Nedomolkina A.A. , Valisheva N.A.
Anodic Layer Formation on the InAlAs Surface in Townsend Gas-Discharge Plasma
Materials Science in Semiconductor Processing. 2019. V.102. 104611 :1-5. DOI: 10.1016/j.mssp.2019.104611 WOS Scopus РИНЦ
2 Chistokhin I.B. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Dmitriev D.V. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014 WOS Scopus РИНЦ
3 Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V.
Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications
Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
4 Терещенко О.Е. , Паулиш А.Г. , Неклюдова М.А. , Шамирзаев Т.С. , Ярошевич А.С. , Просвирин И.П. , Жаксылыкова И.Э. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Варнаков С.Н. , Рауцкий М.В. , Волков Н.В. , Овчинников С.Г. , Латышев А.В.
Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов.
Письма в Журнал технической физики. 2012. Т.38. №1. С.27-36. РИНЦ
5 Tereshhenko O.E. , Paulish A.G. , Neklyudova M.A. , Shamirzaev T.S. , Yaroshevich A.S. , Prosvirin I.P. , Zhaksylykova I. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Varnakov S.N. , Rautskii M.V. , Volkov N.V. , Ovchinnikov S.G. , Latyshev A.V.
Forming Interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs Structure for Optical Detector of Free-Electron Spin
Technical Physics Letters. 2012. V.38. N1. P.12-16. DOI: 10.1134/S1063785012010154 WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (2) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур. 2014. – C.72.
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.

Доклады на конференциях (2) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур 15-18 Sep 2014
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (РЭСХС-21) 07-11 Oct 2013