2
|
Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике
Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь».
– ИНХ СО РАН.,
2013.
– C.80. – ISBN 9785901688281.
|