Sciact
Toggle navigation
  • EN
  • RU

Семягин Борис Рэмович

Аффилиации

# Название Период Количество
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН grid.450314.7 2011 - 2015 2
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет grid.4605.7 2013 2

Научная деятельность

Статьи в журналах - 1 , Тезисы докладов - 2 , Доклады на конференциях - 2

Статьи в журналах (1) Подробнее

1 Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V.
Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications
Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ AN: 2015:1557669 CAN: 163:530122

Тезисы докладов (2) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
В сборнике Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур. 2014. – C.72.
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.

Доклады на конференциях (2) Подробнее

1 Просвирин И.П. , Кулькова С.Е. , Бакулин А.В. , Бухтияров В.И. , Калинкин А.В. , Валишева Н.А. , Аксёнов М.С. , Торопов С.Н. , Дмитриев Д.В. , Семягин Б.Р. , Путято М.А. , Преображенский В.В. , Голяшов В.А. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур 15-18 Sep 2014
2 Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (РЭСХС-21) 07-11 Oct 2013