Бакулин Александр Викторович
| # |
Название |
Период |
Количество |
| 1 |
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
|
2013 - 2015
|
3
|
Статьи в журналах - 1
,
Тезисы докладов - 2
,
Доклады на конференциях - 2
Статьи в журналах (1)
Подробнее
|
1
|
Tereshchenko O.E.
,
Golyashov V.A.
,
Eremeev S.V.
,
Maurin I.
,
Bakulin A.V.
,
Kulkova S.E.
,
Aksenov M.S.
,
Preobrazhenskii V.V.
,
Putyato M.A.
,
Semyagin B.R.
,
Dmitriev D.V.
,
Toropov A.I.
,
Gutakovskii A.K.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Prosvirin I.P.
,
Kalinkin A.V.
,
Bukhtiyarov V.I.
,
Latyshev A.V.
Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications
Applied Physics Letters. 2015.
V.107. 123506
:1-5. DOI: 10.1063/1.4931944
WOS
Scopus
РИНЦ
AN: 2015:1557669
CAN: 163:530122
|
Тезисы докладов (2)
Подробнее
|
1
|
Просвирин И.П.
,
Кулькова С.Е.
,
Бакулин А.В.
,
Бухтияров В.И.
,
Калинкин А.В.
,
Валишева Н.А.
,
Аксёнов М.С.
,
Торопов С.Н.
,
Дмитриев Д.В.
,
Семягин Б.Р.
,
Путято М.А.
,
Преображенский В.В.
,
Голяшов В.А.
,
Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
В сборнике
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур.
2014.
– C.72.
|
|
2
|
Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
В сборнике
Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь».
– ИНХ СО РАН.,
2013.
– C.80. – ISBN 9785901688281.
|
Доклады на конференциях (2)
Подробнее
|
1
|
Просвирин И.П.
,
Кулькова С.Е.
,
Бакулин А.В.
,
Бухтияров В.И.
,
Калинкин А.В.
,
Валишева Н.А.
,
Аксёнов М.С.
,
Торопов С.Н.
,
Дмитриев Д.В.
,
Семягин Б.Р.
,
Путято М.А.
,
Преображенский В.В.
,
Голяшов В.А.
,
Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов.
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур
15-18 Sep 2014
|
|
2
|
Голяшов В.А.
,
Преображенский В.В.
,
Путято М.А.
,
Семягин Б.Р.
,
Дмитриев Д.В.
,
Торопов А.И.
,
Валишева Н.А.
,
Просвирин И.П.
,
Калинкин А.В.
,
Бакулин А.В.
,
Кулькова С.Е.
,
Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния.
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (РЭСХС-21)
07-11 Oct 2013
|