Ковчавцев Анатолий Петрович
# |
Название |
Период |
Количество |
1 |
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
|
2010 - 2018
|
5
|
Статьи в журналах - 5
Статьи в журналах (5)
Подробнее
1
|
Chistokhin I.B.
,
Aksenov M.S.
,
Valisheva N.A.
,
Dmitriev D.V.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Prosvirin I.P.
,
Zhuravlev K.S.
Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts
Materials Science in Semiconductor Processing. 2018.
V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014
WOS
Scopus
РИНЦ
|
2
|
Valisheva N.A.
,
Aksenov M.S.
,
Golyashov V.A.
,
Levtsova T.A.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Gutakovskii A.K.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Kalinkin A.V.
,
Prosvirin I.P.
,
Bukhtiyarov V.I.
,
Tereshchenko O.E.
Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation
Applied Physics Letters. 2014.
V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137
WOS
Scopus
РИНЦ
|
3
|
Oparin V.N.
,
Kiryaeva T.A.
,
Gavrilov V.Y.
,
Shutilov R.A.
,
Kovchavtsev A.P.
,
Tanaino A.S.
,
Efimov V.P.
,
Astrakhantsev I.E.
,
Grenev I.V.
Interaction of Geomechanical and Physicochemical Processes in Kuzbass Сoal
Journal of Mining Science. 2014.
V.50. N2. P.191-214. DOI: 10.1134/S106273911402001X
WOS
Scopus
РИНЦ
|
4
|
Опарин В.Н.
,
Киряева Т.А.
,
Гаврилов В.Ю.
,
Шутилов Р.А.
,
Ковчавцев А.П.
,
Танайно А.С.
,
Ефимов В.П.
,
Астраханцев И.Е.
,
Гренев И.В.
О некоторых особенностях взаимодействия между геомеханическими и физико-химическими процессами в угольных пластах Кузбасса
Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых. 2014.
№2. С.3-30.
RSCI
РИНЦ
|
5
|
Valisheva N.A.
,
Tereshchenko O.E.
,
Prosvirin I.P.
,
Levtsova T.A.
,
Rodjakina E.E.
,
Kovchavcev A.V.
Composition and Morphology of Fluorinated Anodic Oxides on InAs (1 1 1)A Surface
Applied Surface Science. 2010.
V.256. N19. P.5722-5726. DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.100
WOS
Scopus
РИНЦ
|