Гутаковский Антон Константинович

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	1996 - 2022	24
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2014 - 2022	7
3	Институт гидродинамики им. М.А. Лаврентьева СО РАН	1995	1

Научная деятельность

Статьи в журналах - 19 , Статьи в сборниках - 1 , Тезисы докладов - 1 , Доклады на конференциях - 1

Статьи в журналах (19) Подробнее

1	Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Gorshkov D.V. , Sidorov G.Y. , Prosvirin I.P. , Gutakovskii A.K. Al2O3/InGaAs Interface Passivation by Fluorine-Containing Anodic Layers Journal of Applied Physics. 2022. V.131. N8. 085301 :1-9. DOI: 10.1063/5.0078405 WOS Scopus РИНЦ
2	Timofeev V. , Mashanov V. , Nikiforov A. , Skvortsov I. , Gavrilova T. , Gulyaev D. , Gutakovskii A. , Chetyrin I. Effect of Sn for the Dislocation-free SiSn Nanostructure Formation on the Vapor-Liquid-Crystal Mechanism AIP Advances. 2020. V.10. N1. 015309 :1-7. DOI: 10.1063/1.5139936 WOS Scopus РИНЦ
3	Aksenov M.S. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Dmitriev D.V. , Nedomolkina A.A. , Valisheva N.A. Anodic Layer Formation on the InAlAs Surface in Townsend Gas-Discharge Plasma Materials Science in Semiconductor Processing. 2019. V.102. 104611 :1-5. DOI: 10.1016/j.mssp.2019.104611 WOS Scopus РИНЦ
4	Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. Structure of Hf0.9La0.1O2 Ferroelectric Films Obtained by the Atomic Layer Deposition Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2019. V.109. N2. P.116-120. DOI: 10.1134/S0021364019020115 WOS Scopus РИНЦ
5	Perevalov T.V. , Gutakovskii A.K. , Kruchinin V.N. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. Atomic and Electronic Structure of Ferroelectric La-Doped HfO2 Films Materials Research Express. 2019. V.6. N3. 036403 :1-7. DOI: 10.1088/2053-1591/aaf436 WOS Scopus РИНЦ
6	Перевалов Т.В. , Гриценко В.А. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. Строение сегнетоэлектрических пленок Hf0.9La0.1O2, полученных методом атомно-слоевого осаждения Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т.109. №2. С.112-117. DOI: 10.1134/s0370274x19020097 РИНЦ
7	Zakirov E.R. , Kesler V.G. , Sidorov G.Y. , Prosvirin I.P. , Gutakovsky A.K. , Vdovin V.I. XPS Investigation of the ALD Al2O3/HgCdTe Heterointerface Semiconductor Science and Technology. 2019. V.34. N6. 065007 :1-6. DOI: 10.1088/1361-6641/ab1961 WOS Scopus РИНЦ
8	Chistokhin I.B. , Aksenov M.S. , Valisheva N.A. , Dmitriev D.V. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Prosvirin I.P. , Zhuravlev K.S. Barrier Characteristics and Interface Properties of Au/Ti/n-InAlAs Schottky Contacts Materials Science in Semiconductor Processing. 2018. V.74. P.193-198. DOI: 10.1016/j.mssp.2017.10.014 WOS Scopus РИНЦ
9	Aksenov M.S. , Kokhanovskii A.Y. , Polovodov P.A. , Devyatova S.F. , Golyashov V.A. , Kozhukhov A.S. , Prosvirin I.P. , Khandarkhaeva S.E. , Gutakovskii A.K. , Valisheva N.A. , Tereshсhenko O.E. InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge Applied Physics Letters. 2015. V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745 WOS Scopus РИНЦ
10	Tereshchenko O.E. , Golyashov V.A. , Eremeev S.V. , Maurin I. , Bakulin A.V. , Kulkova S.E. , Aksenov M.S. , Preobrazhenskii V.V. , Putyato M.A. , Semyagin B.R. , Dmitriev D.V. , Toropov A.I. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Prosvirin I.P. , Kalinkin A.V. , Bukhtiyarov V.I. , Latyshev A.V. Ferromagnetic HfO2/Si/GaAs Interface for Spin-Polarimetry Applications Applied Physics Letters. 2015. V.107. 123506 :1-5. DOI: 10.1063/1.4931944 WOS Scopus РИНЦ
11	Abramkin D.S. , Shamirzaev V.T. , Putyato M.A. , Gutakovskii A.K. , Shamirzaev T.S. Coexistence of Type-I and Type-II Band Alignment in Ga(Sb,P)/GaP Heterostructures with Pseudomorphic Self-Assembled Quantum Dots Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2014. V.99. N2. P.81-86. DOI: 10.7868/S0370274X14020040 РИНЦ
12	Abramkin D.S. , Shamirzaev V.T. , Putyuto M.A. , Gutakovskii A.K. , Shamirzaev T.S. Coexistence of Type-I and Type-II Band Alignment in Ga(Sb,P)/GaP Heterostructures with Pseudomorphic Self-Assembled Quantum Dots Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2014. V.99. N2. P.76-81. DOI: 10.1134/S0021364014020027 WOS Scopus РИНЦ
13	Valisheva N.A. , Aksenov M.S. , Golyashov V.A. , Levtsova T.A. , Kovchavtsev A.P. , Gutakovskii A.K. , Khandarkhaeva S.E. , Kalinkin A.V. , Prosvirin I.P. , Bukhtiyarov V.I. , Tereshchenko O.E. Oxide-Free InAs(111)A Interface in Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Very Low Density of States Pprepared by Anodic Oxidation Applied Physics Letters. 2014. V.105. P.161601-161605. DOI: 10.1063/1.4899137 WOS Scopus РИНЦ
14	Stenina N.G. , Gubareva D.B. , Gutakovskii A.K. , Plyasova L.M. Crystal Chemical Features of Vein Quartz from the Saralinsk Deposit as an Indicator of the Productivity of Gold Mineralization (Kuznetsk Alatau, Russia) Geology of Ore Deposits. 2000. V.42. N1. P.47-56. WOS Scopus РИНЦ
15	Стенина Н.Г. , Губарева Д.Б. , Гутаковский А.К. , Плясова Л.М. Кристаллохимические особенности жильного кварца Саралинского месторождения как показатель продуктивности золотого оруденения (Кузнецкий Алатау, Россия) Геология рудных месторождений. 2000. Т.42. №1. С.53-62. РИНЦ
16	Kuznetsov V.L. , Chuvilin A.L. , Butenko Y.V. , Stankus S.V. , Khairulin R.A. , Gutakovskii A.K. Closed Curved Graphite-Like Structures Formation on Micron-Size Diamond Chemical Physics Letters. 1998. V.289. N3-4. P.353-360. DOI: 10.1016/S0009-2614(98)00425-4 WOS Scopus РИНЦ
17	Окотруб А.В. , Шевцов Ю.В. , Насонова Л.И. , Синяков Д.Е. , Чувилин А.Л. , Гутаковский А.К. , Мазалов Л.Н. Синтез монослойных замкнутых углеродных частиц в электродуговом разряде Неорганические материалы. 1996. Т.32. №8. С.974-978. РИНЦ
18	Okotrub A.V. , Shevtsov Y.V. , Nasonova L.I. , Sinyakov D.E. , Chuvilin A.L. , Gutakovskii A.K. , Mazalov L.N. Arc-Discharge Synthesis of Single-Shell Carbon Particles Inorganic Materials. 1996. V.32. N8. P.858-861. WOS Scopus РИНЦ
19	Okotrub A.V. , Shevtsov Y.V. , Mazalov L.N. , Chuvilin A.L. , Romanov D.A. , Gutakovskii A.K. Synthesis, Structure and Electrical Properties of Carbonaceous Nanoparticles Molecular Crystals and Liquid Crystals Science and Technology Section C-Molecular Materials. 1996. V.7. N1-4. P.75-80. WOS РИНЦ

Статьи в сборниках (1) Подробнее

Kuznetsov V.L. , Chuvilin A.L. , Butenko Y.V. , Mal'kov I.Y. , Gutakovskii A.K. , Stankus S.V. , Khairulin R.A.
Study of Onion-Like Carbon (OLC) Formation from Ultra Disperse Diamond (UDD)
В сборнике Science and technology of fullerene materials: symposium held November 28-December 2, 1994 Boston, Massachusetts, U.S.A (Materials Research Society Symposium Proceedings. Vol. 359). – Materials Research Society., 1995. – C.105-110. – ISBN 155899260X. DOI: 10.1557/PROC-359-105 WOS Scopus РИНЦ

Тезисы докладов (1) Подробнее

1	Черков А.Г. , Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. , Левцова Т.А. Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111) Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т.10. №1-2. С.204-206. РИНЦ

Доклады на конференциях (1) Подробнее

Тимофеев В.А. , Машанов В.И. , Никифоров А.И. , Гаврилова Т.А. , Гуляев Д.В. , Четырин И.А. , Тийс С.А. , Гутаковский А.К.
Использование Sn в качестве катализатора роста бездислокационных наноструктур SiSn
Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) 27-31 мая 2019