Исламов Дамир Ревинирович | Sciact - cris system

Исламов Дамир Ревинирович

Аффилиации

#	Название	Период	Количество
1	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет	2015 - 2021	12
2	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН	2015 - 2021	12

Научная деятельность

Статьи в журналах - 10 , Главы монографий - 1 , Доклады на конференциях - 1

Статьи в журналах (10) Подробнее

1	Voronkovskii V.A. , Aliev V.S. , Gerasimova A.K. , Perevalov T.V. , Prosvirin I.P. , Islamov D.R. Influence of the Active TaN/ZrOx/Ni Memristor Layer Oxygen Content on Forming and Resistive Switching Behavior Nanotechnology. 2021. V.32. N18. 185205 :1-19. DOI: 10.1088/1361-6528/abce7b WOS Scopus
2	Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. Electronic Structure of Stoichiometric and Oxygen-Deficient Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Nanotechnology. 2018. V.29. N19. 194001 :1-8. DOI: 10.1088/1361-6528/aaacb1 WOS Scopus РИНЦ
3	Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Islamov D.R. , Prosvirin I.P. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2 Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2018. V.107. N1. P.55-60. DOI: 10.1134/S0021364018010071 WOS Scopus РИНЦ
4	Перевалов Т.В. , Гриценко В.А. , Исламов Д.Р. , Просвирин И.П. Электронная структура вакансий кислорода в орторомбической нецентросимметричной фазе Hf0.5Zr0.5O2 Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2018. Т.107. №1. С.62-67. DOI: 10.7868/S0370274X18010113 РИНЦ
5	Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Saraev A.A. The Atomic and Electronic Structure of Oxygen Polyvacancies in Anatase Technical Physics Letters. 2016. V.42. N6. P.601-604. DOI: 10.1134/S1063785016060134 WOS Scopus РИНЦ
6	Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Gritsenko V.A. , Saraev A.A. Electronic Structure of Oxygen Deficient Noncentrosymmetric Orthorhombic Hf0.5Zr0.5O2 ECS Transactions. 2016. V.75. N5. P.227-233. DOI: 10.1149/07505.0227ecst WOS Scopus РИНЦ
7	Перевалов Т.В. , Исламов Д.Р. , Сараев А.А. Атомная и электронная структура поливакансий кислорода в анатазе Письма в Журнал технической физики. 2016. Т.42. №11. С.97-104. РИНЦ
8	Islamov D.R. , Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Orlov O.M. , Chin A. Potential Fluctuation in RRAM Based on Non-Stoichiometric Hafnium Sub-Oxides Advances in Science and Technology. 2016. V.99. P.69-74. DOI: 10.4028/www.scientific.net/ast.99.69 РИНЦ
9	Kruchinin V.N. , Aliev V.S. , Perevalov T.V. , Islamov D.R. , Gritsenko V.A. , Prosvirin I.P. , Cheng C.H. , Chin A. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric HfOx and Low Resistive Transport in RRAM Microelectronic Engineering. 2015. V.147. P.165-167. DOI: 10.1016/j.mee.2015.04.091 WOS Scopus РИНЦ
10	Orlov O.M. , Krasnikov G.Y. , Gritsenko V.A. , Kruchinin V.N. , Perevalov T.V. , Aliev V.S. , Islamov D.R. , Prosvirin I.P. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides ECS Transactions. 2015. V.69. N5. P.237-241. DOI: 10.1149/06905.0237ecst Scopus РИНЦ

Главы монографий (1) Подробнее

1

Islamov D.R. , Perevalov T.V. , Gritsenko V.A. , Aliev V.S. , Saraev A.A. , Kaichev V.V. , Ivanova E.V. , Zamoryanskaya M.V. , Chin A.
20 – The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element
Глава монографии Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. – Elsevier Inc., 2016. – C.493-504. – ISBN 9780128105122. DOI: 10.1016/B978-0-12-810512-2.00020-2 WOS Scopus РИНЦ

Доклады на конференциях (1) Подробнее

1	Орлов О.М. , Красников Г.Я. , Гриценко В.А. , Кручинин В.Н. , Перевалов Т.В. , Алиев В.Ш. , Исламов Д.Р. , Просвирин И.П. Nanoscale Potential Fluctuation in Non-Stoichiometric Hafnium Suboxides 228th Fall Meeting of Electrochemical Society (ECS 2015 Phoenix) 11-15 Oct 2015