Кохановский Алексей Юрьевич
| # |
Название |
Период |
Количество |
| 1 |
Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
|
2015
|
1
|
Статьи в журналах - 1
Статьи в журналах (1)
Подробнее
|
1
|
Aksenov M.S.
,
Kokhanovskii A.Y.
,
Polovodov P.A.
,
Devyatova S.F.
,
Golyashov V.A.
,
Kozhukhov A.S.
,
Prosvirin I.P.
,
Khandarkhaeva S.E.
,
Gutakovskii A.K.
,
Valisheva N.A.
,
Tereshсhenko O.E.
InAs-Based Metal-Oxide-Semiconductor Structure Formation in Low-Energy Townsend Discharge
Applied Physics Letters. 2015.
V.107. N17. P.173501-1-173501-5. DOI: 10.1063/1.4934745
WOS
Scopus
РИНЦ
|