Влияние акцепторной примеси на скорость релаксации донорных электронов в полупроводниках Full article
Journal |
Физика твердого тела
ISSN: 0367-3294 |
||
---|---|---|---|
Output data | Year: 1961, Volume: 3, Number: 11, Pages: 3480-3486 Pages count : 7 | ||
Authors |
|
||
Affiliations |
|
Cite:
Авдеев В.И.
Влияние акцепторной примеси на скорость релаксации донорных электронов в полупроводниках
Физика твердого тела. 1961. Т.3. №11. С.3480-3486. РИНЦ
Влияние акцепторной примеси на скорость релаксации донорных электронов в полупроводниках
Физика твердого тела. 1961. Т.3. №11. С.3480-3486. РИНЦ
Dates:
Submitted: | Jun 22, 1961 |
Identifiers:
Elibrary | 30525027 |
Chemical Abstracts | 1962:43088 |
Chemical Abstracts (print) | 56:43088 |
Citing:
Пока нет цитирований