Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса Conference Abstracts
Conference |
3-я школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» 07-09 Dec 2021 , Новосибирск |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Source | Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» Compilation, ИФП СО РАН. Новосибирск.2021. 54 c. РИНЦ |
||||||
Output data | Year: 2021, Pages: 18-19 Pages count : 2 | ||||||
Authors |
|
||||||
Affiliations |
|
Funding (1)
1 | Russian Science Foundation | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
Cite:
Исхакзай Р.М.Х.
, Перевалов Т.В.
, Просвирин И.П.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
In compilation Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
In compilation Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ
Identifiers:
Elibrary | 47344380 |
Citing:
Пока нет цитирований