Abstract: Получено выражение для кинетической изотермы хемосорбции на полупроводнике. Хемосорбция акцепторного газа на плоскопараллельной пластинке полупроводника рассмотрена в предположении, что адсорбция не сопровождается диссоциацией частиц; присутствуют центры адсорбции только 1 рода; хемосорбированные частицы связаны с поверхностью полупроводника прочной акцепторной связью; хемосорбция происходит за счет образования активированных комплексов, связанных прочной акцепторной связью с поверхностью; плотность активированных комплексов ниже, чем адсорбированных частиц; степень заполнения адсорбционных центров низкая; толщина полупроводниковой пластины мала по сравнению с дебаевским расстоянием экранирования.

Cite: Кузнецов В.С.
Кинетика хемосорбции газа на полупроводнике
Кинетика и катализ. 1964. Т.5. №3. С.541-546. РИНЦ ANCAN

Dates:

Submitted:

Jan 23, 1963

Identifiers:

Elibrary:	47495146
Chemical Abstracts:	1964:444522
Chemical Abstracts (print):	61:44522

Citing: Пока нет цитирований