Sciact
  • EN
  • RU

Пористые стеклокристаллические подложки с высоким потенциалом усадки для высокотемпературных оксиднокерамических мембран Научная публикация

Журнал Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X
Вых. Данные Год: 2008, Том: 44, Номер: 10, Страницы: 1260-1264 Страниц : 5
Авторы Зырянов В.В. 1 , Мельгунов М.С. 2
Организации
1 Институт химии твердого тела и механохимии СО Российской академии наук, Новосибирск
2 Институт катализа им. Г.К.Борескова СО Российской академии наук, Новосибирск

Информация о финансировании (4)

1 Сибирское отделение Российской академии наук 95
2 Международный научно-технический центр 3234
3 Российский фонд фундаментальных исследований 06-03-32131
4 Министерство образования и науки Российской Федерации 02.513.11.3035

Реферат: Разработаны составы и процедуры приготовления пористых подложек на основе стеклокристаллического субстрата, совместимого с проводящими керамиками. Пористые подложки в форме пробирок с высоким потенциалом усадки оптимальны для разработки многослойных селективно проницаемых керамических мембран. Выявлена удельная эффективность модификаторов в изменении кривых усадки. Определены ключевые факторы управления свойствами подложек: количество выгорающей добавки определяет макропористость, добавка легкоплавкой глины - потенциал усадки, выщелачивание - микропористость, импрегнирование солью лантана - форму кривой усадки и реакционную способность, модификация Al2O3-золем - жаростойкость.
Библиографическая ссылка: Зырянов В.В. , Мельгунов М.С.
Пористые стеклокристаллические подложки с высоким потенциалом усадки для высокотемпературных оксиднокерамических мембран
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №10. С.1260-1264. РИНЦ
Переводная: Zyryanov V.V. , Melgunov M.S.
High-Shrinkage-Potential Porous Glass-Ceramic Supports for High-Temperature Oxide Ceramic Membranes
Inorganic Materials. 2008. V.44. N10. P.1130-1134. DOI: 10.1134/S0020168508100208 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Даты:
Поступила в редакцию: 7 авг. 2007 г.
Идентификаторы БД:
РИНЦ: 11532730
Цитирование в БД:
БД Цитирований
РИНЦ 4