Sciact
  • EN
  • RU

Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111) Тезисы доклада

Конференция VII Международная научно-техническая конференция INTERMATIC–2010
23-27 нояб. 2010 , Москва
Журнал Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения
Вых. Данные Год: 2010, Том: 10, Номер: 1-2, Страницы: 204-206 Страниц : 3
Авторы Черков А.Г. 1 , Валишева Н.А. 1 , Терещенко О.Е. 1 , Гутаковский А.К. 1 , Просвирин И.П. 2 , Левцова Т.А. 1
Организации
1 Институт Физики Полупроводников СО РАН
2 Институт Катализа СО РАН

Информация о финансировании (1)

1 Сибирское отделение Российской академии наук 99

Реферат: В данной работе методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изучено влияние состава электролита на атомное строение границы раздела InAs/АОС и морфологию тонких (3-5нм) АОС. Проведено сравнение с составом АОС, который исследовали методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).
Библиографическая ссылка: Черков А.Г. , Валишева Н.А. , Терещенко О.Е. , Гутаковский А.К. , Просвирин И.П. , Левцова Т.А.
Исследование влияния фтора на структуру и состав анодных оксидных слоев на InAs (111)
Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения. 2010. Т.10. №1-2. С.204-206. РИНЦ
Идентификаторы БД:
РИНЦ: 15858848
Цитирование в БД: Пока нет цитирований