Abstract: Определены параметры тензора магнитного экранирования, квадрупольного взаимодействия, а также взаимная ориентация тензоров для комплекса (≡SiO)VOCl2, полученного при нанесении VOCl3 на поверхность SiO[2]. Изучено состояние VOCl[3] на поверхности MgCl2 и модифицированного SiO2, в котором все поверхностные OH-группы были заменены на атомы Cl. Для приготовления модифицированного SiO2 в качестве хлорирующих агентов были использованы CCl4 и SiCl4. Продемонстрировано образование близких по строению комплексов пятивалентного ванадия на поверхности этих носителей. Предложена модель координационного окружения ванадия на носителях, содержащих хлор. Показано, что ванадий находится в искаженном пентаэдрическом окружении и связан с носителем двумя связями: либо с двумя хлорами, либо с хлором и кислородом. Предположена корреляция между координацией VOCl3 и каталитическими свойствами VOCl3/MgCl2

Cite: Лапина О.Б. , Мацько М.А. , Микенас Т.Б. , Захаров В.А. , Паукштис Е.А. , Хабибулин Д.Ф. , Соболев А.П.
Изучение VOCl3, закрепленного на поверхности SiO2 и MgCl2, методом ЯМР 51V
Кинетика и катализ. 2001. Т.42. №4. С.609-617. РИНЦ

Translated: Lapina O.B. , Mats'ko M.A. , Mikenas T.B. , Zakharov V.A. , Paukshtis E.A. , Khabibulin D.F. , Sobolev A.P.
51V NMR Study of VOCl3 Immobilized on the SiO2 and MgCl2 Surface
Kinetics and Catalysis. 2001. V.42. N4. P.553-560. DOI: 10.1023/A:1010589909886 WOS Scopus РИНЦ ANCAN OpenAlex

Dates:

Submitted:	Feb 28, 2000
Published print:	Jul 1, 2001

Identifiers:

Elibrary:

30299647

Citing: Пока нет цитирований