Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Тезисы доклада
Конференция |
XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников 20-25 февр. 2012 , Новоуральск |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Сборник | XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 февраля – 25 февраля 2012 г. Екатеринбург – Новоуральск. Программа и тезисы докладов Сборник, Екатеринбург.2012. 276 c. |
||||||||
Вых. Данные | Год: 2012, Номер статьи : NM-19, Страниц : 2 | ||||||||
Авторы |
|
||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский фонд фундаментальных исследований | 12-02-00226 |
Библиографическая ссылка:
Чуркин С.А.
, Кох К.А.
, Макаренко С.В.
, Голяшов В.А.
, Кожухов А.С.
, Щеглов Д.В.
, Атучин В.В.
, Романюк К.Н.
, Просвирин И.П.
, Терещенко О.Е.
Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
В сборнике XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 февраля – 25 февраля 2012 г. Екатеринбург – Новоуральск. Программа и тезисы докладов. 2012. – C.229-230.
Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
В сборнике XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 февраля – 25 февраля 2012 г. Екатеринбург – Новоуральск. Программа и тезисы докладов. 2012. – C.229-230.
Идентификаторы БД:
Нет идентификаторов
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований