Abstract: Особое место в развитии наноэлектроники отводится наноструктурам на основе массивов квантовых точек, изолированных друг от друга слоями диэлектрика или полупроводника с большой шириной запрещенной зоны. Коррелированные массивы квантовых точек сегодня являются наиболее перспективными кандидатами для создания устройств квантовой логики и квантовых компьютеров, а благодаря эффективной эмиссии и высокому квантовому выходу – высокоэффективных устройств отображения информации, источников излучения в видимой области, солнечных батарей или флуоресцентных меток [1]. В работе предлагается подход к созданию полупроводниковых наноструктур методом термического испарения материала на матрицы пористого оксида алюминия, получаемого методом двухстадийного анодного окисления в растворяющих электролитах [2]. Подбор условий окисления позволяет в широких пределах варьировать диаметр (от 5 до 200 нм) и длину пор (от 0,2 мкм до 200 мкм). Были получены наноструктуры германия с различными диаметром и длиной нанонитей, в зависимости от диаметра пор и толщины матрицы пористого оксида алюминия. Проведены микроскопические и АСМ исследования полученных структур, получены EXAFS спектры, из которых были рассчитаны средние длины химических связей, координационные числа, среднеквадратичные отклонения атомов. Проведено сравнение с данными для сплошных пленок германия.

Cite: Валеев Р.Г. , Сурнин Д.В. , Ветошкин В.М. , Кривенцов В.В. , Зубавичус Я.В. , Мезенцев Н.А.
Использование матриц пористого Al₂O₃ для синтеза полупроводниковых наноструктур Ge
In compilation 1-я Всероссийская научная конференция "Методы исследования состава и структуры функциональных материалов", МИССФМ-2009, Новосибирск, 11-16 октября 2009 г.. – ИК СО РАН., 2009. – C.138. РИНЦ

Identifiers:

Elibrary:

32242755

Citing: Пока нет цитирований