Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства Тезисы доклада
Конференция |
XIV Российская конференция по физике полупроводников 09-13 сент. 2019 , Новосибирск, Сосновка |
||||
---|---|---|---|---|---|
Сборник | Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2019» Сборник, Перо. Москва.2019. 272 c. ISBN 9785001504474. РИНЦ |
||||
Вых. Данные | Год: 2019, Том: 1, Страницы: 110 Страниц : 1 DOI: 10.34077/Semicond2019-110 | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский фонд фундаментальных исследований | 18-02-00808 (АААА-А18-118020190099-2) |
Реферат:
Теллур (Те) – элементарный полупроводник, обладающий уникальными физическими свой-ствами (дихроизм межзонного и внутризонного поглощения, прозрачность в инфракрасной обла-сти (4−20 µm), пьезоактивность, большой коэффициент акустооптического качества, фотопрово-димость, нелинейные оптические свойства). Термовакуумный метод получения пленок является первым и до сих пор наиболее часто используемым для синтеза пленок Те. Его главный недоста-ток состоит в том, что паровая фаза теллура почти целиком состоит из двухатомных молекул Te2, а не из атомов Te. Сравнительно низкие температуры подложки (T < Тпл= 450 0С) обусловливают низкую подвижность адсорбированных молекул Te2 на ростовой поверхности, в результате чего пленки теллура получаются мелкозернистыми и дефектными.
Нами предложен вариант термовакуумного напыления, в котором обеспечивается термо-химическая активация процесса кристаллизации теллура путем введения в систему водорода (H2). Согласно реакции Te + H2 = H2Te в системе появляется более легкая молекула H2Te, которая иг-рает главную роль в кинетике кристаллизации за счет диссоциативной адсорбции молекулы H2Te на водород и теллур на поверхности подложки. Рентгеновская дифрактограмма (рис.1 а) и спектр комбинационного рассеяния (рис.1 б) показывают, что полученные образцы (монокри-сталлические пленки и слои Те толщиной до 1 мм) по структурному совершенству не уступают объемным монокристаллическим образцам Те, полученным расплавными методами.
Представлены результаты исследований температурных зависимостей концентрации и по-движности носителей в пленках и слоях теллура, измеренные методом Холла в интервале темпе-ратур 80–473 К.
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 18-02-00808.
Библиографическая ссылка:
Кузьмин А.О.
, Исмаилов А.М.
, Рабаданов М.Р.
, Шапиев И.М.
, Алиев И.Ш.
Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства
В сборнике Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2019». – Перо., 2019. – Т.1. – C.110. – ISBN 9785001504474. DOI: 10.34077/Semicond2019-110 OpenAlex
Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства
В сборнике Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2019». – Перо., 2019. – Т.1. – C.110. – ISBN 9785001504474. DOI: 10.34077/Semicond2019-110 OpenAlex
Файлы:
Полный текст от издателя
Даты:
Опубликована в печати: | 20 авг. 2019 г. |
Опубликована online: | 5 сент. 2019 г. |
Идентификаторы БД:
OpenAlex: | W4229789369 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований