Sciact
  • EN
  • RU

Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства Тезисы доклада

Конференция XIV Российская конференция по физике полупроводников
09-13 сент. 2019 , Новосибирск, Сосновка
Сборник Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2019»
Сборник, Перо. Москва.2019. 272 c. ISBN 9785001504474. РИНЦ
Вых. Данные Год: 2019, Том: 1, Страницы: 110 Страниц : 1 DOI: 10.34077/Semicond2019-110
Авторы Кузьмин А.О. 1 , Исмаилов А.М. 2 , Рабаданов М.Р. 2 , Шапиев И.М. 2 , Алиев И.Ш. 2
Организации
1 Институт катализа СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 5
2 Дагестанский государственный университет, 367000, Махачкала, ул. Гаджиева, 43

Информация о финансировании (1)

1 Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00808 (АААА-А18-118020190099-2)

Реферат: Теллур (Те) – элементарный полупроводник, обладающий уникальными физическими свой-ствами (дихроизм межзонного и внутризонного поглощения, прозрачность в инфракрасной обла-сти (4−20 µm), пьезоактивность, большой коэффициент акустооптического качества, фотопрово-димость, нелинейные оптические свойства). Термовакуумный метод получения пленок является первым и до сих пор наиболее часто используемым для синтеза пленок Те. Его главный недоста-ток состоит в том, что паровая фаза теллура почти целиком состоит из двухатомных молекул Te2, а не из атомов Te. Сравнительно низкие температуры подложки (T < Тпл= 450 0С) обусловливают низкую подвижность адсорбированных молекул Te2 на ростовой поверхности, в результате чего пленки теллура получаются мелкозернистыми и дефектными. Нами предложен вариант термовакуумного напыления, в котором обеспечивается термо-химическая активация процесса кристаллизации теллура путем введения в систему водорода (H2). Согласно реакции Te + H2 = H2Te в системе появляется более легкая молекула H2Te, которая иг-рает главную роль в кинетике кристаллизации за счет диссоциативной адсорбции молекулы H2Te на водород и теллур на поверхности подложки. Рентгеновская дифрактограмма (рис.1 а) и спектр комбинационного рассеяния (рис.1 б) показывают, что полученные образцы (монокри-сталлические пленки и слои Те толщиной до 1 мм) по структурному совершенству не уступают объемным монокристаллическим образцам Те, полученным расплавными методами. Представлены результаты исследований температурных зависимостей концентрации и по-движности носителей в пленках и слоях теллура, измеренные методом Холла в интервале темпе-ратур 80–473 К. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 18-02-00808.
Библиографическая ссылка: Кузьмин А.О. , Исмаилов А.М. , Рабаданов М.Р. , Шапиев И.М. , Алиев И.Ш.
Технология получения пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством и их электрофизические свойства
В сборнике Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2019». – Перо., 2019. – Т.1. – C.110. – ISBN 9785001504474. DOI: 10.34077/Semicond2019-110 OpenAlex
Файлы: Полный текст от издателя
Даты:
Опубликована в печати: 20 авг. 2019 г.
Опубликована online: 5 сент. 2019 г.
Идентификаторы БД:
OpenAlex: W4229789369
Цитирование в БД: Пока нет цитирований
Альметрики: