Реферат: Представлены результаты получения эпитаксиальных пленок теллура на подложках из слюды (мусковит) методом термического испарения Те в среде водорода. Образование молекул Н2Te в зоне тигля, их диффузия в зону подложки и термализация с ростовой поверхностью за счёт высокой теплопроводности водорода, диссоциативная ад- сорбция Н2Te на поверхности с последующей десорбцией H2 и накоплением атомарного теллура (Те) являются ключевыми особенностями процесса кристаллизации пленки на всех ее стадиях. Атомарный теллур способствует зарождению и росту жидкокапельных ориентированных зародышей при температурах подложки близких к температуре плавления теллура (450 оС). На стадии коалесценции жидко- фазных островков формируется «мозаика» островковой фазы, состоящая из пустот разных размеров, ограниченных кристаллографическими гранями. После формирования сплошной пленки начинается стадия автоэпитаксиального роста пленки, также реализуемая по островковому механизму пар-жидкость-кристалл (ПЖК-механизм). По структурному совершенству, полученные пленки и слои Те превосходят объемные монокристаллы и могут найти применение для изготовления приборных структур в области микро-, опто-, акустоэлектроники.

Библиографическая ссылка: Рабаданов М.Р. , Шапиев И.М. , Кузьмин А.О. , Исмаилов А.М.
Механизм формирования эпитаксиальных пленок и слоев теллура с высоким структурным совершенством, получаемых термовакуумным напылением в среде водорода
Прикладная физика. 2021. №1. С.50-56. DOI: 10.51368/1996-0948-2021-1-50-56 Scopus РИНЦ OpenAlex

Файлы: Полный текст от издателя

Даты:

Поступила в редакцию:	6 нояб. 2020 г.
Опубликована в печати:	1 мар. 2021 г.

Идентификаторы БД:

Scopus:	2-s2.0-85112446167
РИНЦ:	44833482
OpenAlex:	W4245164347

Цитирование в БД: Пока нет цитирований

Альметрики: