Sciact
  • EN
  • RU

Использование Sn в качестве катализатора роста бездислокационных наноструктур SiSn Тезисы доклада

Конференция Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
27-31 мая 2019 , Новосибирск
Сборник Фотоника 2019 : тезисы докладов.
Сборник, ООО «Офсет-ТМ». Новосибирск.2019. 195 c. ISBN 9785859571536.
Вых. Данные Год: 2019, Номер статьи : П_18, Страниц : 1
Авторы Тимофеев В.А. 1 , Машанов В.И. 1 , Никифоров Александр Иванович 1,2 , Гаврилова Т.А. 1 , Гуляев Д.В. 1 , Четырин И.А. 3 , Тийс С.А. 1 , Гутаковский А.К. 1
Организации
1 Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН
2 Томский государственный университет, Томск
3 Институт катализа имени Г.К.Борескова СО РАН, Новосибирск
Библиографическая ссылка: Тимофеев В.А. , Машанов В.И. , Никифоров А.И. , Гаврилова Т.А. , Гуляев Д.В. , Четырин И.А. , Тийс С.А. , Гутаковский А.К.
Использование Sn в качестве катализатора роста бездислокационных наноструктур SiSn
В сборнике Фотоника 2019 : тезисы докладов.. – ООО «Офсет-ТМ»., 2019. – C.116. – ISBN 9785859571536.
Идентификаторы БД: Нет идентификаторов
Цитирование в БД: Пока нет цитирований