Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111) | Sciact - CRIS-система Института катализа

Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111) Научная публикация

Журнал

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Вых. Данные

Год: 2021, Том: 55, Номер: 8, Страницы: 625-628 Страниц : 4 DOI: 10.21883/ftp.2021.08.51126.02

Ключевые слова

кристаллический топологический изолятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия, Pb0.7Sn0.3Te

Авторы

Кавеев А.К. ¹ , Бондаренко Д.Н. ¹ , Терещенко О.Е. ²

Организации

1	Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
2	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Проведен подбор и оптимизация технологических параметров роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии тонких слоев Pb0.7Sn0.3Te толщиной до 300 нм, выращенных на поверхности Si(111) при температурах 230−400◦C, изучена морфология поверхности полученных пленок, определены эпитаксиальные соотношения. Показано, что в зависимости от температуры роста морфология поверхности имеет вид от гладких островов микронного размера, имеющих на поверхности моноатомные ступени, до более узких террас.

Кавеев А.К. , Бондаренко Д.Н. , Терещенко О.Е.
Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111)
Физика и техника полупроводников. 2021. Т.55. №8. С.625-628. DOI: 10.21883/ftp.2021.08.51126.02 OpenAlex

Поступила в редакцию:	9 апр. 2021 г.
Принята к публикации:	19 апр. 2021 г.
Опубликована online:	11 мая 2021 г.
Опубликована в печати:	1 авг. 2021 г.

OpenAlex:

W3162484324

Пока нет цитирований