Sciact
  • EN
  • RU

Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса Тезисы доклада

Конференция 3-я школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»
07-09 дек. 2021 , Новосибирск
Сборник Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»
Сборник, ИФП СО РАН. Новосибирск.2021. 54 c. РИНЦ
Вых. Данные Год: 2021, Страницы: 18-19 Страниц : 2
Авторы Исхакзай Р.М.Х. 1 , Перевалов Т.В. 1 , Просвирин И.П. 2 , Алиев В.Ш. 1,3 , Гриценко В.А. 1,3
Организации
1 ИФП СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
2 ИК СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 5
3 Новосибирский государственный технический университет, 630073, Новосибирск, пр. К. Маркса, 20

Информация о финансировании (1)

1 Российский научный фонд 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)
Библиографическая ссылка: Исхакзай Р.М.Х. , Перевалов Т.В. , Просвирин И.П. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А.
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
В сборнике Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ
Идентификаторы БД:
РИНЦ: 47344380
Цитирование в БД: Пока нет цитирований