Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb | Sciact - CRIS-система Института катализа

Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb Научная публикация

Журнал

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X

Вых. Данные

Год: 2022, Том: 115, Номер: 5-6, Страницы: 315-321 Страниц : 7 DOI: 10.31857/S1234567822050081

Авторы

Глазкова Д.А. ¹ , Естюнин Д.А. ¹ , Климовских И.И. ^1,2 , Макарова Т.П. ¹ , Терещенко О.Е. ^3,4,5 , Кох К.А. ^5,6,7 , Голяшов В.А. ^3,4,5 , Королева А.В. ¹ , Шикин А.М. ¹

Организации

1	Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 С.-Петербург, Россия
2	Национальный исследовательский технологический институт МИСиС, 119049 Москва, Россия
3	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
4	ЦКП "СКИФ", Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, 630559 Кольцово, Россия
5	Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
6	Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
7	Кемеровский государственный университет, 650000 Кемерово, Россия

Собственный магнитный топологический изолятор MnBi2Te4 представляет собой многообещающую платформу для реализации квантового аномального эффекта Холла при повышенных температурах и других уникальных топологических эффектов. Однако для этого запрещенная зона в точке Дирака должна располагаться на уровне Ферми. Одним из широко используемых способов сдвига точки Дирака в область уровня Ферми является частичное замещение атомов Bi атомами Sb. В данной работе представлены результаты исследований электронной структуры остовных уровней и валентной зоны для соединений Mn(Bi1-x Sbx)2Te4 при изменении концентрации ( x ) атомов Sb (от 0 до 1). Показано,что с увеличением концентрации атомов Sb точка Дирака сдвигается в сторону уровня Ферми с локализацией на уровне Ферми при x ≈ 0.3. При этом наблюдается “жесткий” сдвиг валентной зоны, включая уровень Mn 3d, без видимых изменений структуры валентной и зоны проводимости. Концентрационная зависимость сдвига точки Дирака аппроксимируется корневой функцией, что соответствует линейному возрастанию плотности носителей заряда.

Глазкова Д.А. , Естюнин Д.А. , Климовских И.И. , Макарова Т.П. , Терещенко О.Е. , Кох К.А. , Голяшов В.А. , Королева А.В. , Шикин А.М.
Электронная структура магнитных топологических изоляторов серии Mn(Bi1-xSbx)2Te4 при изменении концентрации атомов Sb
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №5-6. С.315-321. DOI: 10.31857/S1234567822050081 РИНЦ СКИФ ID

Glazkova D.A. , Estyunin D.A. , Klimovskikh I.I. , Makarova T.P. , Tereshchenko O.E. , Kokh K.A. , Golyashov V.A. , Koroleva A.V. , Shikin A.M.
Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1–xSbx)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. P.286–291. DOI: 10.1134/S0021364022100083 WOS Scopus РИНЦ CAPlus OpenAlex СКИФ ID

Поступила в редакцию:	3 февр. 2022 г.
Принята к публикации:	3 февр. 2022 г.
Опубликована в печати:	10 мар. 2022 г.

РИНЦ:	48076823
СКИФ ID:	1522

БД	Цитирований
РИНЦ	3