Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов | Sciact - CRIS-система Института катализа

Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов Тезисы доклада

Конференция

VII Международная научно-техническая конференция «Радиотехника, электроника и связь»
04-04 окт. 2023 , Омск

Сборник

Радиотехника, электроника и связь [Электронный ресурс] : тезисы докладов VII Международной научно-технической конференции (Омск, 4–6 октября 2023 года).
Сборник, ОНИИП. Омск.2023. 322 c. ISBN 978-5-6046517-7-3. РИНЦ

Вых. Данные

Год: 2023,

Ключевые слова

нитрид алюминия, AlN/Al, магнетронное распыление, пьезоактивные материалы; aluminum nitride, AlN/Al, magnetron sputtering, piezo active materials

Авторы

Богословцева А.Л. ¹ , Капишников А.В. ^1,2 , Гейдт П.В. ¹

Организации

1	Лаборатория функциональной диагностики низкоразмерных структур для наноэлектроники, Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Российская Федерация
2	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Российская Федерация

Информация о финансировании (1)

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018)

FSUS-2020-0029

Исследованы слои AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления постоянного тока. Показано, что температура напыления слоя алюминия влияет на структуру осаждаемого на него слоя нитрида алюминия. Осаждение алюминия на кремний без нагрева подложки позволяет осаждать на нем хорошо текстурированный нитрид алюминия

Богословцева А.Л. , Капишников А.В. , Гейдт П.В.
Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов
В сборнике Радиотехника, электроника и связь [Электронный ресурс] : тезисы докладов VII Международной научно-технической конференции (Омск, 4–6 октября 2023 года).. – ОНИИП., 2023. – ISBN 978-5-6046517-7-3. РИНЦ

РИНЦ:

59994727

Пока нет цитирований