Polarization-Resolved Raman Resonant Excitation of Surface and Bulk Electronic Bands and Phonons in MBE Grown Topological Insulator Thin Films Научная публикация
Журнал |
PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics
ISSN: 1463-9076 , E-ISSN: 1463-9084 |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2024, Том: 26, Страницы: 29036-29047 Страниц : 12 DOI: 10.1039/d4cp02994a | ||||||||||||||||
Ключевые слова | Electric insulators; Electron-phonon interactions; Excited states; Polarization; Raman scattering; Statistical mechanics; Surface scattering; Tellurium compounds | ||||||||||||||||
Авторы |
|
||||||||||||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (4)
1 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) | FSUS-2024-0020 |
2 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) | |
3 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) | FWUR-2024-0042 |
4 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (с 15 мая 2018) | FWZN-2022-0024 (122041400241-5) |
Реферат:
Interaction of phonons with Dirac-like electronic states sets the fundamental limit of electron transport in topological insulators (TIs). Polarization-resolved and resonant Raman scattering of bulk and surface electronic excitation and vibrational modes in Bi2Te3 and Bi2xSbxTe3ySey (BSTS) thin films was investigated. At photon energies (Ep) of 1.57 and 2.54 eV, A1 1g and A2 1g (LO) modes in Bi2Te3 and BSTS were resonantly excited owing to interband optical excitations of the surface Dirac state (DS) and bulk conduction band (CB), respectively. At room temperature, the resonance of the surface phonon of Raman and IR active modes E1 u (LO) and A1 1u (LO) was observed in Bi2Te3 because of interband excitation of bulk CB, and interband transition of DS resonantly excited the A2 1u (LO) surface phonon in BSTS. A Fano lineshape suggested interference in the presence of electron–phonon coupling of the surface states.
Библиографическая ссылка:
Kumar N.
, Ishchenko D.V.
, Milekhin I.A.
, Yunin P.A.
, Kyrova E.D.
, Korsakov A.V.
, Tereshchenko O.E.
Polarization-Resolved Raman Resonant Excitation of Surface and Bulk Electronic Bands and Phonons in MBE Grown Topological Insulator Thin Films
PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2024. V.26. P.29036-29047. DOI: 10.1039/d4cp02994a WOS Scopus CAPlus PMID OpenAlex
Polarization-Resolved Raman Resonant Excitation of Surface and Bulk Electronic Bands and Phonons in MBE Grown Topological Insulator Thin Films
PCCP: Physical Chemistry Chemical Physics. 2024. V.26. P.29036-29047. DOI: 10.1039/d4cp02994a WOS Scopus CAPlus PMID OpenAlex
Даты:
Поступила в редакцию: | 29 июл. 2024 г. |
Принята к публикации: | 3 нояб. 2024 г. |
Опубликована online: | 5 нояб. 2024 г. |
Опубликована в печати: | 24 дек. 2024 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science: | WOS:001356444100001 |
Scopus: | 2-s2.0-85209236710 |
Chemical Abstracts: | 2024:2526382 |
PMID (PubMed): | 39552495 |
OpenAlex: | W4404084083 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований