Sciact
  • EN
  • RU

Магнитные и электрофизические свойства границы раздела HfO2/Si/GaAs(001) Тезисы доклада

Конференция XI Российская конференция по физике полупроводников
16-20 сент. 2013 , Санкт-Петербург
Сборник XI Российская конференция по физике полупроводников
Сборник, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Санкт-Петербург.2013. 504 c.
Вых. Данные Год: 2013, Номер статьи : Вт-Б-3.3у, Страниц : 1
Авторы Голяшов В.А. 1 , Преображенский В.В. 2 , Путято М.А. 2 , Семягин Б.Р. 2 , Дмитриев Д.В. 2 , Торопов А.И. 2 , Валишева Н.А. 2 , Просвирин И.П. 3 , Бакулин А.В. 4 , Кулькова С.Е. 4 , Терещенко О.Е. 1,2
Организации
1 Новосибирский государственный университет, ул. Пирогова, 2, Новосибирск, 630090, Россия
2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, пр. Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
3 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, пр. Лаврентьева, 5, Новосибирск, 630090, Россия
4 Институт физики прочности и материаловедения CО РАН, пр. Академический, 2/4, Томск, 634021, Россия
Библиографическая ссылка: Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Магнитные и электрофизические свойства границы раздела HfO2/Si/GaAs(001)
В сборнике XI Российская конференция по физике полупроводников. – ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН., 2013. – C.63.
Идентификаторы БД: Нет идентификаторов
Цитирование в БД: Пока нет цитирований