Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах
Монография
| Язык |
Русский |
| Тип |
Монография |
| ISBN |
9785769211836 (Вып.31); 9785769206696 |
| Страниц |
158 |
| Авторы |
Гриценко В.А.
,
Елисеев А.П.
,
Иванов М.В.
,
Игуменов И.К.
,
Каичев В.В.
,
Карпушин А.А.
,
Морозова Н.Б.
,
Насыров К.А.
,
Некрашевич С.С.
,
Новиков Ю.Н.
,
Перевалов Т.В.
,
Пустоваров В.А.
,
Расторгуев А.А.
,
Смирнова Т.П.
,
Снытников В.Н.
,
Сорокин А.Н.
,
Стояновский В.О.
,
Шапошников А.В.
|
(Интеграционные проекты СО РАН, Вып.31) Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния.
Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.