Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния - Доклады на конференциях | Sciact - CRIS-система Института катализа

Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния Доклады на конференциях

Язык

Русский

Тип доклада

Стендовый

Конференция

XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 окт. 2013 , Новосибирск

Авторы

Голяшов Владимир Андреевич ^1,2 , Преображенский Валерий Владимирович ² , Путято Михаил Альбертович ² , Семягин Борис Рэмович ² , Дмитриев Дмитрий Владимирович ² , Торопов Александр Иванович ² , Валишева Наталья Александровна ² , Просвирин Игорь Петрович ³ , Калинкин Александр Васильевич ³ , Бакулин Александр Викторович ⁴ , Кулькова Светлана Евгеньевна ⁴ , Терещенко Олег Евгеньевич ^1,2

Организации

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2	Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
3	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
4	Институт физики прочности и материаловедения СО РАН

Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» 07-11 окт. 2013