Sciact
  • EN
  • RU

Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Доклады на конференциях

Язык Русский
Тип доклада Стендовый
Конференция Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных)
15-18 сент. 2014 , Новосибирск
Авторы Голяшов Владимир Андреевич 1 , Преображенский Валерий Владимирович 1 , Путято Михаил Альбертович 1 , Семягин Борис Рэмович 1 , Дмитриев Дмитрий Владимирович 1 , Торопов С. Н. 1 , Аксёнов Максим Сергеевич 1 , Валишева Наталья Александровна 1 , Просвирин Игорь Петрович 2 , Калинкин Александр Васильевич 2 , Бухтияров Валерий Иванович 2 , Бакулин Александр Викторович 3 , Кулькова Светлана Евгеньевна 3 , Терещенко Олег Евгеньевич 1,4
Организации
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
2 Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
3 Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
4 Новосибирский национальный исследовательский государственный университет
Библиографическая ссылка: Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов С.Н. , Аксёнов М.С. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бухтияров В.И. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 сент. 2014