Реферат: Растровая электронная микроскопия (РЭМ) один из наиболее широко применяемых методов в материаловедении. Популярность этого метода в значительной степени обусловлена возможностью получения трехмерных изображений поверхности твердых материалов в широком интервале увеличений от 10 до 1 000 000 крат с разрешением 1-5 нм. Кроме того РЭМ широко востребован благодаря своей уникальной способности интегрироваться с другими методами, такими как рентгеновский микроанализ (РМА), дифракция обратноотраженных электронов и многими другими. В лекции подробно изложены основные положения, возможности и перспективы методов растровой электронной микроскопии (РЭМ) и рентгеновского микроанализа (РМА). РЭМ позволяет получать микрофотографии, характеризующие трехмерное изображение поверхности материалов с увеличением 10-1000 000 крат (разрешение 1-5 нм). РМА позволяет получать спектр характеристического рентгеновского излучения для элементов в периодической системе от Be4 до U92. Из спектра можно извлечь качественный и количественный состав материала с минимальным содержанием вещества 0.1-0.01 вес.%. Детально представлены процессы взаимодействия электронов первичного пучка с твердым телом, механизмы генерации различных типов вторичных излучений – вторичных электронов, обратно отраженных электронов, характеристического рентгеновского излучения и др., и процессы формирования изображений поверхности твердых тел. Подробно рассмотрены возможности методов РЭМ/РМА при исследовании микро- и наноматериалов. Рассмотрен концептуальный подход для проведения качественного анализа, позволяющего определять с высокой степенью достоверности химический состав материалов

Библиографическая ссылка: Соболев В.И.
Растровая электронная микроскопия для исследования морфологии и состава микро- и наноматериалов
VII Международная конференция студентов и молодых учёных "Перспективы развития фундаментальных наук" 20-23 апр. 2010