Рентгенолучевой генератор изображения
Патенты
| Язык: |
Русский |
| Тип: |
Патент на изобретение |
| Номер (11) |
RU 2415521 C1 |
| Номер заявки (21): |
2009145542 |
| Дата подачи заявки (22): |
8 дек. 2009 г. |
| Дата начала отсчета срока действия патента (24): |
8 дек. 2009 г. |
| Дата публикации патента (44,45,46): |
27 мар. 2011 г. |
| Дата публикации заявки (43): |
|
| Авторы |
Гольденберг Б.Г.
|
| Организации |
| 1 |
Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН)
|
|
Изобретение относится к рентгенолитографии, а именно к устройству «рисования» топологических рисунков, пространственно сформированным пучком экспонирующего рентгеновского излучения. С целью повышения точности формирования топологии резистивной маски при помощи рентгенолучевого генератора изображения содержащего, в общем случае, источник экспонирующего рентгеновского излучения; оперативную рентгенонепрозрачную заслонку-прерыватель для управления пучком экспонирующего рентгеновского излучения; координатный стол, на котором располагается обрабатываемая подложка, и блок диафрагм, задающий размеры «светового пятна», предлагается блок диафрагм, изготовленный в виде двух рентгеновских шаблонов с ренгенопрозрачными отверстиями круглой или щелевой формы, размеры которых выполнены с определенным заданным шагом. Такой подход позволяет оперативно сформировать топологию резистивной маски в толстом слое рентгенорезиста с субмикронной точностью, что является техническим результатом изобретения. 1 ил.
FIELD: physics.
SUBSTANCE: in general case, proposed generator comprises source of exposing X-ray
radiation, radiolucent shutter-interrupter to control exposing beam, coordinate table to support processed substrate and set of diaphragms to set light spot sizes. Proposed set of diaphragms is made up of two X-ray templates with radiolucent round or slit-shaped orifices with sizes made with preset spacing. Above design allows fast formati on of topology of resistive mask in thick layer of X-ray resist to sub micrometer
accuracy.
EFFECT: higher accuracy of formation of resistive mask topology using X-ray beam generator.