XD1DD: X-ray Diffraction for 1 Dimensional Disorder
Патенты
| Язык: |
Русский |
| Тип: |
Программа для ЭВМ |
| Номер (11) |
RU 2024690136 |
| Номер заявки (21): |
2024689378 |
| Дата подачи заявки (22): |
2 дек. 2024 г. |
| Дата начала отсчета срока действия патента (24): |
|
| Дата публикации патента (44,45,46): |
12 дек. 2024 г. |
| Дата публикации заявки (43): |
|
| Авторы |
Черепанова С.В.
,
Яценко Д.А.
|
| Организации |
| 1 |
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки «Федеральный исследовательский центр «Институт катализа им. Г. К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук»
|
|
Программа предназначена для расчета порошковых рентгеновских дифракционных картин для одномерно (1D) разупорядоченных кристаллов (содержащих планарные дефекты). Вычисления производятся на основе статистических моделей кристаллов, где в качестве вероятностного правила для генерирования 1D разупорядоченной последовательности слоев используется цепь Маркова со стационарными вероятностями перехода. Такая модель учитывает ближний порядок в чередовании и способах наложения слоев, что позволяет моделировать различные случаи распределения планарных дефектов в кристаллах. Вычисления проводятся в трехмерном обратном пространстве (Фурье-пространство кристалла) вдоль стержней, проходящих через узлы обратной двумерной решетки. Программа позволяет определять тип и оценивать концентрацию планарных дефектов исследуемых частиц образца путем создания модели 1D разупорядоченного кристалла и оптимизацией её методом проб и ошибок до наилучшего соответствия с экспериментом.