HfO2-High-k Dielectric for Nanoelectronics Тезисы доклада
Конференция |
11th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells and 216th ECS Meeting with EuroCVD 17 04-09 окт. 2009 , Vienna |
||||
---|---|---|---|---|---|
Журнал |
ECS Meeting Abstracts
ISSN: 2151-2043 |
||||
Вых. Данные | Год: 2009, Том: MA2009-02, Номер: 34, Номер статьи : F3-0249P, Страниц : 1 | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Сибирское отделение Российской академии наук | 70 |
Библиографическая ссылка:
Smirnova T.P.
, Kuznetsov F.A.
, Yakovkina L.V.
, Kaichev V.V.
, Kosyakov V.I.
, Lebedev M.S.
, Kichai V.N.
HfO2-High-k Dielectric for Nanoelectronics
ECS Meeting Abstracts. 2009. V.MA2009-02. N34. F3-0249P :1-1.
HfO2-High-k Dielectric for Nanoelectronics
ECS Meeting Abstracts. 2009. V.MA2009-02. N34. F3-0249P :1-1.
Идентификаторы БД:
OpenAlex | W4247095581 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
OpenAlex | 1 |