MOCVD of the (Al2O3)x(HfO2)1-x Films as Alternative Gate Dielectric for MIS Nanostructures Тезисы доклада
Конференция |
11th International Symposium on Solid Oxide Fuel Cells and 216th ECS Meeting with EuroCVD 17 04-09 окт. 2009 , Vienna |
||||
---|---|---|---|---|---|
Журнал |
ECS Meeting Abstracts
ISSN: 2151-2043 |
||||
Вых. Данные | Год: 2009, Том: MA2009-02, Номер: 34, Номер статьи : F3-0274P, Страниц : 1 | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Библиографическая ссылка:
Smirnova T.P.
, Lebedev M.S.
, Kaichev V.V.
, Yakovrina L.V.
, Morozova N.B.
, Zherikova K.V.
, Semyannikov P.P.
, Trubin C.V.
MOCVD of the (Al2O3)x(HfO2)1-x Films as Alternative Gate Dielectric for MIS Nanostructures
ECS Meeting Abstracts. 2009. V.MA2009-02. N34. F3-0274P :1-1.
MOCVD of the (Al2O3)x(HfO2)1-x Films as Alternative Gate Dielectric for MIS Nanostructures
ECS Meeting Abstracts. 2009. V.MA2009-02. N34. F3-0274P :1-1.
Идентификаторы БД:
OpenAlex | W2253315191 |
Цитирование в БД:
Пока нет цитирований