Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса Научная публикация
Журнал |
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
ISSN: 0370-274X |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2022, Том: 115, Номер: 1-2(1), Страницы: 89-93 Страниц : 5 DOI: 10.31857/s1234567822020045 | ||||||
Авторы |
|
||||||
Организации |
|
Информация о финансировании (2)
1 | Российский научный фонд | 19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8) |
2 | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | 0242-2021-0003 |
Реферат:
В работе показано, что обработка в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса (ЭЦР) стехиометрического HfO2, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения, приводит к существенному обеднению пленки кислородом и формированию нестехиометрического HfOx (x < 2). Степень обеднения кислородом тем выше, чем больше время обработки. Перенос заряда в исследуемых пленках осуществляется по механизму фонон-облегченного туннелирования между ловушками, в качестве которых выступают вакансии кислорода. Установлено, что структуры p++-Si/HfOx/Ni, где оксидный слой обрабатывался в водородной ЭЦР-плазме, обладают мемристорными свойствами: переключаются обратимым образом между состояниями с высоким и низким сопротивлением. Полученные мемристорные структуры являются бесформовочными.
Библиографическая ссылка:
Перевалов Т.В.
, Исхакзай Р.М.Х.
, Просвирин И.П.
, Алиев В.Ш.
, Гриценко В.А.
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2(1). С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ
Бесформовочные мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электрон-циклотронного резонанса
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2022. Т.115. №1-2(1). С.89-93. DOI: 10.31857/s1234567822020045 РИНЦ
Переводная:
Perevalov T.V.
, Iskhakzai R.M.K.
, Prosvirin I.P.
, Aliev V.S.
, Gritsenko V.A.
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ
Forming-Free Memristors Based on Hafnium Oxide Processed in Electron Cyclotron Resonance Hydrogen Plasma
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters (JETP Letters). 2022. V.115. N2. P.79-83. DOI: 10.1134/s0021364022020084 WOS Scopus РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 17 нояб. 2021 г. |
Принята к публикации: | 25 нояб. 2021 г. |
Опубликована в печати: | 25 янв. 2022 г. |
Идентификаторы БД:
РИНЦ | 47484141 |
OpenAlex | W4205730261 |
Цитирование в БД:
БД | Цитирований |
---|---|
РИНЦ | 2 |