Synthesis and Properties of Dielectric (HfO2)1 − x (Sc2O3) x Films Научная публикация
Журнал |
Inorganic Materials
ISSN: 0020-1685 , E-ISSN: 1608-3172 |
||||
---|---|---|---|---|---|
Вых. Данные | Год: 2013, Том: 49, Номер: 2, Страницы: 172-178 Страниц : 7 DOI: 10.1134/S0020168513020234 | ||||
Ключевые слова | Dielectric Permittivity; Hafnium; Scandium; Leakage Current Density; Scandium Content | ||||
Авторы |
|
||||
Организации |
|
Информация о финансировании (1)
1 | Российский фонд фундаментальных исследований | 12-03-00131 |
Реферат:
(HfO2)1 − x (Sc2O3) x films have been grown by chemical vapor deposition (CVD) using the volatile complexes hafnium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate (Hf(thd)4) and scandium 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate (Sc(thd)3) as precursors. The composition and crystal structure of the films containing 1 to 36 at % Sc have been determined. The results demonstrate that, in the composition range 9 to 14 at % scandium, the films are nanocrystalline and consist of an orthorhombic three-component phase, which has not been reported previously. Using Al/(HfO2)1 − x (Sc2O3) x /Si test structures, we have determined the dielectric permittivity of the films and the leakage current through the insulator as functions of scandium concentration. The permittivity of the films with the orthorhombic structure reaches k = 42–44, with a leakage current density no higher than ∼10−8 A/cm2.
Библиографическая ссылка:
Yakovkina L.V.
, Smirnova T.P.
, Borisov V.O.
, Kichai V.N.
, Kaichev V.V.
Synthesis and Properties of Dielectric (HfO2)1 − x (Sc2O3) x Films
Inorganic Materials. 2013. V.49. N2. P.172-178. DOI: 10.1134/S0020168513020234 WOS Scopus РИНЦ
Synthesis and Properties of Dielectric (HfO2)1 − x (Sc2O3) x Films
Inorganic Materials. 2013. V.49. N2. P.172-178. DOI: 10.1134/S0020168513020234 WOS Scopus РИНЦ
Оригинальная:
Яковкина Л.В.
, Смирнова Т.П.
, Борисов В.О.
, Кичай В.Н.
, Каичев В.В.
Синтез и свойства диэлектрических пленок (HfO2)1-x(Sc2O3)x
Неорганические материалы. 2013. Т.49. №2. С.165-172. DOI: 10.7868/S0002337X12120147 РИНЦ
Синтез и свойства диэлектрических пленок (HfO2)1-x(Sc2O3)x
Неорганические материалы. 2013. Т.49. №2. С.165-172. DOI: 10.7868/S0002337X12120147 РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: | 25 июл. 2011 г. |
Принята к публикации: | 12 мар. 2012 г. |
Опубликована online: | 5 янв. 2013 г. |
Опубликована в печати: | 1 февр. 2013 г. |
Идентификаторы БД:
Web of science | WOS:000313094400010 |
Scopus | 2-s2.0-84877050798 |
РИНЦ | 20442858 |
Chemical Abstracts | 2013:17664 |
Chemical Abstracts (print) | 159:112019 |
OpenAlex | W1994186114 |