Получение и свойства тонких пленок HfO2 Full article
Journal |
Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X |
||||
---|---|---|---|---|---|
Output data | Year: 2005, Volume: 41, Number: 12, Pages: 1474-1479 Pages count : 6 | ||||
Authors |
|
||||
Affiliations |
|
Abstract:
Методом химического осаждения получены слои диоксида гафния из газовой фазы с использованием летучих металлоорганических соединений: (C5H5)2Hf(CH3)2, (C5H5)2Hf(N(C2H5)2)2, Hf(dpm)4. Методами рентгенофазового анализа, РФЭ- и ИК-спектроскопии исследовано химическое строение пленок. Показано, что состав пленок соответствует HfO2, а структура - моноклинной модификации. На границе раздела HfO2/Si зафиксированы силицид и силикат гафния. Появление силицида гафния связано с дефицитом кислорода, возникающим в результате травления пленки ионами аргона. Силикат гафния образуется при отжиге пленок в результате взаимодействия оксидов гафния и кремния. Из вольт-амперных и вольт-емкостных характеристик тестовых А1/НfO2/Si-структур определены диэлектрическая проницаемость и удельное сопротивление полученных пленок: 15-20 и ~1015 Ом см соответственно.
Cite:
Яковкина Л.В.
, Кичай В.Н.
, Смирнова Т.П.
, Каичев В.В.
, Шубин Ю.В.
, Морозова Н.Б.
, Жерикова К.В.
, Игуменов И.К.
Получение и свойства тонких пленок HfO2
Неорганические материалы. 2005. Т.41. №12. С.1474-1479. RSCI РИНЦ
Получение и свойства тонких пленок HfO2
Неорганические материалы. 2005. Т.41. №12. С.1474-1479. RSCI РИНЦ
Translated:
Yakovkina L.V.
, Kichai V.N.
, Smirnova T.P.
, Kaichev V.V.
, Shubin Y.V.
, Morozova N.B.
, Zherikova K.V.
, Igumenov I.K.
Preparation and Properties of Thin HfO2 Films
Inorganic Materials. 2005. V.41. N12. P.1300-1304. DOI: 10.1007/s10789-005-0305-8 WOS Scopus РИНЦ
Preparation and Properties of Thin HfO2 Films
Inorganic Materials. 2005. V.41. N12. P.1300-1304. DOI: 10.1007/s10789-005-0305-8 WOS Scopus РИНЦ
Dates:
Submitted: | Mar 23, 2005 |
Published print: | Dec 1, 2005 |
Identifiers:
RSCI | RSCI:9150819 |
Elibrary | 9150819 |
Citing:
DB | Citing |
---|---|
Elibrary | 6 |