Синтез слоев SiNx:H из гексаметилциклотрисилазана с использованием удаленной плазмы Full article
Journal |
Неорганические материалы
ISSN: 0002-337X |
||
---|---|---|---|
Output data | Year: 1996, Volume: 32, Number: 6, Pages: 696-700 Pages count : 5 | ||
Authors |
|
||
Affiliations |
|
Abstract:
Исследован процесс синтеза слоев SiN(,x):H из гексаметилциклотрисилазана с использованием нового варианта плазмохим. процесса: газофазного хим. осаждения в условиях удаленной плазмы. Изучены кинетические закономерности в зависимости от параметров процесса и типа газа, подвергающегося прямой активации. Показано, что в системе с акт. гелием происходит полный отрыв орг. радикалов и получаются пленки, в к-рых отсутствует углеродсодержащая составляющая мономера. В системе с акт. аммиаком при высоких давлении аммиака (p10 Па) и введенной мощности ВЧ-разряда (W300 Вт) реализуется механизм осаждения, способствующий десорбции углерода с поверхности.
Cite:
Смирнова Т.П.
, Яковкина Л.В.
, Амосов Ю.И.
, Данилович О.В.
Синтез слоев SiNx:H из гексаметилциклотрисилазана с использованием удаленной плазмы
Неорганические материалы. 1996. Т.32. №6. С.696-700.
Синтез слоев SiNx:H из гексаметилциклотрисилазана с использованием удаленной плазмы
Неорганические материалы. 1996. Т.32. №6. С.696-700.
Translated:
Smirnova T.P.
, Yakovkina L.V.
, Amosov Y.I.
, Danilovich O.V.
Downstream Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of SiNx:H Films from Hexamethylcyclotrisilazane
Inorganic Materials. 1996. V.32. N6. P.615-619. WOS Scopus РИНЦ
Downstream Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of SiNx:H Films from Hexamethylcyclotrisilazane
Inorganic Materials. 1996. V.32. N6. P.615-619. WOS Scopus РИНЦ
Dates:
Submitted: | Mar 13, 1995 |
Published print: | Jun 1, 1996 |
Identifiers:
No identifiers
Citing:
Пока нет цитирований