Формирование барьера Шоттки СВЧ фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур Full article
Conference |
26-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" 04-10 Sep 2016 , Севастополь |
||||
---|---|---|---|---|---|
Source | 26-Я Международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КРЫМИКО'2016) Материалы конференции. В 13 томах. Том. 10. 8. Прикладные аспекты СВЧ-техники и фотоники Compilation, 2016. 286 c. ISBN 9789663354286. РИНЦ |
||||
Output data | Year: 2016, Pages: 2400-2404 Pages count : 5 | ||||
Tags | InAlAs,барьер Шоттки,фотодиод,поверхность | ||||
Authors |
|
||||
Affiliations |
|
Funding (1)
1 | Russian Foundation for Basic Research | 14-29-08124 |
Abstract:
Работа посвящена разработке технологии изготовления СВЧ фотодиодов на основе барьера Шоттки на InAlAs/InGaAs/InP МЛЭ гетероструктурах. Исследованы морфологические особенности, химический состав поверхности InAlAs в структурах различного дизайна и статические электрофизические характеристики Au/Ti/InAlAs барьеров Шоттки. Показано, что в тестовых Au/Ti/InAlAs/InP диодных структурах коэффициент идеальности (n)составляет значения 1.05-1.12, при высоте барьера(φ) 0.69-0.7 эВ. В приборных структурах Au/Ti/InAlAs/InGaAs/InP n=1.26 при φ=0.66 эВ.
Cite:
Аксенов М.С.
, Валишева Н.А.
, Левцова Т.А.
, Чистохин И.Б.
, Просвирин И.П.
, Кожухов А.С.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов А.И.
, Гилинский А.М.
, Журавлев К.С.
Формирование барьера Шоттки СВЧ фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур
In compilation 26-Я Международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КРЫМИКО'2016) Материалы конференции. В 13 томах. Том. 10. 8. Прикладные аспекты СВЧ-техники и фотоники. 2016. – C.2400-2404. – ISBN 9789663354286. РИНЦ
Формирование барьера Шоттки СВЧ фотодиодов на основе InAlAs/InGaAs/InP гетероструктур
In compilation 26-Я Международная крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КРЫМИКО'2016) Материалы конференции. В 13 томах. Том. 10. 8. Прикладные аспекты СВЧ-техники и фотоники. 2016. – C.2400-2404. – ISBN 9789663354286. РИНЦ
Identifiers:
Elibrary | 29657406 |
Citing:
Пока нет цитирований