Основные представления метода активированных комплексов в рамках электронной теории катализа на полупроводниках Full article
Journal |
Кинетика и катализ
ISSN: 0453-8811 |
||
---|---|---|---|
Output data | Year: 1963, Volume: 4, Number: 6, Pages: 878-885 Pages count : 8 | ||
Authors |
|
||
Affiliations |
|
Abstract:
В работе делается попытка применить основные представления теории активированных комплексов Эйринга для расчета скоростей химических реакций, протекающих на поверхности полупроводниковых катализаторов. Дан вывод основных кинетических уравнений с учетом, что часть реагентов, продуктов реакции и активированных комплексов может быть связана хемосорбционной связью с поверхностью полупроводника с привлечением свободных электронов и дырок полупроводника. Уравнения получены в предположении, что в процессе реакции в системе имеется электронное равновесие.
Cite:
Кузнецов В.С.
Основные представления метода активированных комплексов в рамках электронной теории катализа на полупроводниках
Кинетика и катализ. 1963. Т.4. №6. С.878-885.
Основные представления метода активированных комплексов в рамках электронной теории катализа на полупроводниках
Кинетика и катализ. 1963. Т.4. №6. С.878-885.
Dates:
Submitted: | Jun 29, 1962 |
Identifiers:
Chemical Abstracts | 1964:27412 |
Chemical Abstracts (print) | 60:27412 |
Citing:
Пока нет цитирований