Sciact
  • EN
  • RU

Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon Научная публикация

Журнал Inorganic Materials
ISSN: 0020-1685 , E-ISSN: 1608-3172
Вых. Данные Год: 2008, Том: 44, Номер: 9, Страницы: 965-970 Страниц : 6 DOI: 10.1134/S0020168508090124
Ключевые слова Hafnium; Native Oxide Layer; Ellipsometry Data; Hafnium Silicate; Equilibrium Phase Assemblage
Авторы Smirnova T.P. 1 , Kaichev V.V. 2 , Yakovkina L.V. 1 , Kosyakov V.I. 1 , Beloshapkin S.A. 3 , Kuznetsov F.A. 1 , Lebedev M.S. 1 , Gritsenko V.A. 4
Организации
1 Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, pr. Akademika Lavrent’eva 3, Novosibirsk, 630090, Russia
2 Boreskov Institute of Catalysis, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, pr. Akademika Lavrent’eva 5, Novosibirsk, 630090, Russia
3 Materials and Surface Science Institute, University of Limerick, Limerick, Ireland
4 Institute of Semiconductor Physics, Siberian Division, Russian Academy of Sciences, pr. Akademika Lavrent’eva 13, Novosibirsk, 630090, Russia

Информация о финансировании (3)

1 Российский фонд фундаментальных исследований 05-03-32393
2 Сибирское отделение Российской академии наук 97
3 Совет по грантам Президента Российской Федерации НШ-636.2008.3

Реферат: Ellipsometry, electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy data indicate that, during HfO2 deposition onto silicon, the native oxide reacts with the HfO2 deposit to form an amorphous intermediate layer which differs in refractive index (1.6) from both HfO2 (1.9–2.0) and SiO2 (1.46). Thermodynamic analysis of the Si–SiO2–HfO2–Hf system shows that Si is in equilibrium with Si/HfO2 – y only at low oxygen pressures. Starting at a certain oxygen pressure (equivalent to the formation of a native oxide layer), the equilibrium phase assemblage is Si/HfSiO4/HfO2 – y.
Библиографическая ссылка: Smirnova T.P. , Kaichev V.V. , Yakovkina L.V. , Kosyakov V.I. , Beloshapkin S.A. , Kuznetsov F.A. , Lebedev M.S. , Gritsenko V.A.
Composition and Structure of Hafnia Films on Silicon
Inorganic Materials. 2008. V.44. N9. P.965-970. DOI: 10.1134/S0020168508090124 WOS Scopus РИНЦ CAPlusCA OpenAlex
Оригинальная: Смирнова Т.П. , Каичев В.В. , Яковкина Л.В. , Косяков В.И. , Белошапкин С.А. , Кузнецов Ф.А. , Лебедев М.С. , Гриценко В.А.
Состав и строение пленок оксида гафния на кремнии
Неорганические материалы. 2008. Т.44. №9. С.1086-1092. РИНЦ
Даты:
Поступила в редакцию: 11 окт. 2006 г.
Принята к публикации: 22 июн. 2007 г.
Опубликована online: 30 авг. 2008 г.
Опубликована в печати: 1 сент. 2008 г.
Идентификаторы БД:
Web of science: WOS:000258839600012
Scopus: 2-s2.0-50849105104
РИНЦ: 13593266
Chemical Abstracts: 2008:1055854
Chemical Abstracts (print): 150:110130
OpenAlex: W2076961298
Цитирование в БД:
БД Цитирований
Web of science 25
Scopus 28
РИНЦ 26
OpenAlex 30
Альметрики: