EXAFS- и рентгеноэлектронная спектроскопия наноструктур полупроводников в матрицах пористого оксида алюминия | Sciact - CRIS-система Института катализа

EXAFS- и рентгеноэлектронная спектроскопия наноструктур полупроводников в матрицах пористого оксида алюминия Научная публикация

Журнал

Инженерная физика
ISSN: 2072-9995

Вых. Данные

Год: 2016, Номер: 12, Страницы: 17-25 Страниц : 9

Ключевые слова

Ge, GaAs, ZnSe, ZnS, пористый анодный Al2 O3 , локальная атомная структура, EXAFS спектроскопия, Фурье-подгонка, рентгеноэлектронная спектроскопия.

Авторы

Валеев Р.Г. ¹ , Бельтюков А.Н. ¹ , Кривенцов В.В. ²

Организации

1	Физико-технический институт Уральского отделения РАН Ижевск, Российская Федерация
2	Институт катализа им Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Российская Федерация

Представлены результаты исследований локальной атомной структуры и характера химических связей полупроводников изоэлектронного ряда германия (Ge, GaAs, ZnSe, ZnS), полученных методом термического испарения порошка материала на пористые матрицы анодного оксида алюминия и подложки поликора. Показано, что механизм формирования локальной атомной структуры Ge, GaAs, ZnSe и ZnS в целом одинаков. Наблюдаются изменения в локальной атомной структуре материала, полученного в пористых матрицах, по сравнению с пленками на поверхности стандартной подложки поликора, связанные с различием механизма конденсации.

Валеев Р.Г. , Бельтюков А.Н. , Кривенцов В.В.
EXAFS- и рентгеноэлектронная спектроскопия наноструктур полупроводников в матрицах пористого оксида алюминия
Инженерная физика. 2016. №12. С.17-25. RSCI РИНЦ

Russian Science Citation Index (RSCI):	RSCI:28319214
РИНЦ:	28319214

Пока нет цитирований