Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3 Conference Abstracts

Conference

XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
20-25 Feb 2012 , Новоуральск

Source

XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 февраля – 25 февраля 2012 г. Екатеринбург – Новоуральск. Программа и тезисы докладов
Compilation, Екатеринбург.2012. 276 c.

Output data

Year: 2012, Article number : NM-19, Pages count : 2

Authors

Чуркин С.А. ¹ , Кох К.А. ² , Макаренко С.В. ¹ , Голяшов В.А. ¹ , Кожухов А.С. ³ , Щеглов Д.В. ³ , Атучин В.В. ³ , Романюк К.Н. ^1,3 , Просвирин И.П. ⁴ , Терещенко О.Е. ^1,3

Affiliations

1	Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, ул. Пирогова, 2
2	Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. ак. Коптюга, 4
3	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. Лаврентьева, 13
4	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, 630090 Новосибирск, пр. Лаврентьева, 5

Funding (1)

Russian Foundation for Basic Research

12-02-00226

Чуркин С.А. , Кох К.А. , Макаренко С.В. , Голяшов В.А. , Кожухов А.С. , Щеглов Д.В. , Атучин В.В. , Романюк К.Н. , Просвирин И.П. , Терещенко О.Е.
Зарядовое состояние и стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi2Se3
In compilation XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников. 20 февраля – 25 февраля 2012 г. Екатеринбург – Новоуральск. Программа и тезисы докладов. 2012. – C.229-230.

No identifiers

Пока нет цитирований