Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния Conference Abstracts

Conference

XXI Всероссийская конференция «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
07-11 Oct 2013 , Новосибирск

Source

Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»
Compilation, ИНХ СО РАН. Новосибирск.2013. 124 c. ISBN 9785901688281. РИНЦ

Output data

Year: 2013, Pages: 80 Pages count : 1

Authors

Голяшов В.А. ^1,2 , Преображенский В.В. ² , Путято М.А. ² , Семягин Б.Р. ² , Дмитриев Д.В. ² , Торопов А.И. ² , Валишева Н.А. ² , Просвирин И.П. ³ , Калинкин А.В. ³ , Бакулин А.В. ⁴ , Кулькова С.Е. ⁴ , Терещенко О.Е. ^1,2

Affiliations

1	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 630090, пр. Лаврентьева, 13, Новосибирск, Россия.
2	Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3	Институт катализа им. К.Г. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
4	Институт физики прочности и материаловедения CО РАН, Томск, Россия

Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Калинкин А.В. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Формирование границы раздела HfO2/GaAs(001) с интерфейсным слоем кремния
In compilation Программа и тезисы докладов XXI Всероссиийской конференции «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.80. – ISBN 9785901688281.

No identifiers

Пока нет цитирований