Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов Conference Abstracts
Conference |
Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных) 15-18 Sep 2014 , Новосибирск |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Source | Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного
бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов Compilation, Новосибирск.2014. 88 c. |
||||||||
Output data | Year: 2014, Pages: 72 Pages count : 1 | ||||||||
Authors |
|
||||||||
Affiliations |
|
Cite:
Голяшов В.А.
, Преображенский В.В.
, Путято М.А.
, Семягин Б.Р.
, Дмитриев Д.В.
, Торопов С.Н.
, Аксёнов М.С.
, Валишева Н.А.
, Просвирин И.П.
, Калинкин А.В.
, Бухтияров В.И.
, Бакулин А.В.
, Кулькова С.Е.
, Терещенко О.Е.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов
In compilation Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов. 2014. – C.72.
Гетероструктуры HfO2/Si/GaAs(001) для оптических спин-детекторов
In compilation Конференция и школа молодых учёных по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных учёных), посвящённые 50-летию образования Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова Сибирского отделения РАН. Тезисы докладов. 2014. – C.72.
Identifiers:
No identifiers
Citing:
Пока нет цитирований