Abstract: Рассмотрены процессы осаждения слоев HfO2 из металлорганического прекурсора дипивалоилметаната гафния – Hf(dpm)4 на установке Pulse MO CVD с дискретной дозировкой газовой фазы. Работа проводилась с целью изучения условий образования наноразмерных функциональных слоев HfO2 в системах с высоким аспектным отношением. Проводились эксперименты по осаждению слоев на реальных системах (микроканальные пластины) и на модельных (плоские щелевые структуры). Осаждение слоев проводилось при температурах нагрева подложки в диапазоне от 350 до 450 °С с различным количеством циклов осаждения. В качестве газа-реактанта для получения оксидного слоя использовался кислород и водяной пар. Химический состав осажденных пленок был исследован методом дифференцирующего растворения (химический метод фазового анализа). Установлено, что полученные пленки не совсем однородны, и могут содержать некоторое количество соединения Hf растворяющегося в 0.1N HCl нагретой до 80 °C, тогда как оставшаяся его часть растворяется в 0.01N HF, т.е. в более жестких условиях. Пленки осажденные в различных условиях содержат различное количество соединения Hf растворяющегося в 0.1N HCl. Легко растворимая часть пленки является относительно другой более реакционно-способной, что может быть связано с наличием низкоразмерных зерен, сильно разупорядоченных из-за кислородной нестехиометрии. Для выяснения природы реактивной фазы была изучена поверхность пленок, as-grown, так и после избирательного удаления легко растворимой части оксида. Полученные слои HfO2 были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгенофазового анализа, фотоэлектронной спектроскопии.

Cite: Шевцов Ю.В. , Васильева И.Г. , Почтарь А.А. , Кучумов Б.М. , Игуменов И.К.
Влияние условий осаждения слоев в импульсном MO CVD методе на характеристики пленок HfO2
In compilation Программа и тезисы докладов «Третьего семинара по проблемам химического осаждения из газовой фазы». – ИНХ СО РАН., 2013. – C.58.

Identifiers: No identifiers

Citing: Пока нет цитирований