Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111) | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111) Full article

Journal

Физика и техника полупроводников
ISSN: 0015-3222

Output data

Year: 2021, Volume: 55, Number: 8, Pages: 625-628 Pages count : 4 DOI: 10.21883/ftp.2021.08.51126.02

Tags

кристаллический топологический изолятор, молекулярно-лучевая эпитаксия, дифракция быстрых электронов, атомно-силовая микроскопия, Pb0.7Sn0.3Te

Authors

Кавеев А.К. ¹ , Бондаренко Д.Н. ¹ , Терещенко О.Е. ²

Affiliations

1	Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
2	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Проведен подбор и оптимизация технологических параметров роста методом молекулярно-лучевой эпитаксии тонких слоев Pb0.7Sn0.3Te толщиной до 300 нм, выращенных на поверхности Si(111) при температурах 230−400◦C, изучена морфология поверхности полученных пленок, определены эпитаксиальные соотношения. Показано, что в зависимости от температуры роста морфология поверхности имеет вид от гладких островов микронного размера, имеющих на поверхности моноатомные ступени, до более узких террас.

Кавеев А.К. , Бондаренко Д.Н. , Терещенко О.Е.
Структурные свойства тонких пленок кристаллического топологического изолятора Pb0.7Sn0.3Te на Si(111)
Физика и техника полупроводников. 2021. Т.55. №8. С.625-628. DOI: 10.21883/ftp.2021.08.51126.02 OpenAlex

Submitted:	Apr 9, 2021
Accepted:	Apr 19, 2021
Published online:	May 11, 2021
Published print:	Aug 1, 2021

OpenAlex:

W3162484324

Пока нет цитирований