Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса Conference Abstracts

Conference

3-я школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»
07-09 Dec 2021 , Новосибирск

Source

Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем»
Compilation, ИФП СО РАН. Новосибирск.2021. 54 c. РИНЦ

Output data

Year: 2021, Pages: 18-19 Pages count : 2

Authors

Исхакзай Р.М.Х. ¹ , Перевалов Т.В. ¹ , Просвирин И.П. ² , Алиев В.Ш. ^1,3 , Гриценко В.А. ^1,3

Affiliations

1	ИФП СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13
2	ИК СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 5
3	Новосибирский государственный технический университет, 630073, Новосибирск, пр. К. Маркса, 20

Funding (1)

Russian Science Foundation

19-19-00286 (АААА-А19-119120490056-8)

Исхакзай Р.М.Х. , Перевалов Т.В. , Просвирин И.П. , Алиев В.Ш. , Гриценко В.А.
Мемристоры на основе оксида гафния, обработанного в водородной плазме электронно-циклотронного резонанса
In compilation Тезисы докладов Школы молодых учёных «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем». – ИФП СО РАН., 2021. – C.18-19. РИНЦ

Elibrary:

47344380

Пока нет цитирований