Abstract: Развитие методов получения атомарно-чистых, структурно-упорядоченных поверхностей А3В5 с определенной атомной сверхструктурой без использования техники молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) является актуальной задачей технологии многих полупроводниковых приборов. Основной вопрос заключается в том, как в отсутствие молекулярных пучков приготовить атомарно-чистые и структурно-упорядоченные поверхности полупроводниковых соединений А3В5 при низкой температуре прогрева в вакууме? Под низкой, понимается температура значительно (на 200 град.) ниже температуры десорбции оксидов с поверхностей этих полупроводников. Решение заключается в предварительном удаление оксидов с поверхности полупроводника в жидком растворе и создании на поверхности пассивирующего слоя с низкой температурой десорбции, предотвращающего образование сильной связи остаточных загрязнений с поверхностными атомами полупроводника. При этом, как растворение оксидов, так и образование пассивирующего слоя должны проходить без коррозии самого кристалла полупроводника. В докладе будут представлены результаты по изучению физикохимических процессов, лежащих в основе приготовления атомарно-чистых, структурно-упорядоченных поверхностей полупроводниковых соединений A3B5 А2В6 и А4В6 и изучению их электронных и оптических свойств, а также практическому применению разработанного метода в различных приложениях. Показано, что стехиометрия большинства изученных поверхностей, приготовленных обработкой в безводном растворе хлороводорода в изопропиловом спирте (HCl-ИПС), при прогревах в вакууме ведёт себя аналогично поверхностям, выращенным методом МЛЭ. На поверхностях полупроводниковых соединений после химической обработки и последующего прогрева в вакууме наблюдаются сверхструктурные перестройки, ранее наблюдавшиеся только на поверхностях, выращенных методом МЛЭ. Таким образом, методика приготовления поверхности в безводном растворе хлороводорода в изопропиловом спирте является универсальной для полупроводников А3В5, А2В6 и А4В6 и позволяет получать поверхности, не уступающие по качеству поверхностям, выращиваемым методом МЛЭ. Работа поддержана проектом РФФИ № 21-52-12024.

Cite: Терещенко О.Е.
Универсальный метод химического приготовления атомарно - чистых поверхностей полупроводников с заданной реконструкцией
In compilation Современная химическая физика. XXXIII Симпозиум, 24 сентября - 4 октября 2021 года, Пансионат "Маяк", г. Туапсе : Сборник тезисов. 2021. – C.36.

Identifiers: No identifiers

Citing: Пока нет цитирований