Магнитные и электрофизические свойства границы раздела HfO2/Si/GaAs(001) | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Магнитные и электрофизические свойства границы раздела HfO2/Si/GaAs(001) Conference Abstracts

Conference

XI Российская конференция по физике полупроводников
16-20 Sep 2013 , Санкт-Петербург

Source

XI Российская конференция по физике полупроводников
Compilation, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. Санкт-Петербург.2013. 504 c.

Output data

Year: 2013, Article number : Вт-Б-3.3у, Pages count : 1

Authors

Голяшов В.А. ¹ , Преображенский В.В. ² , Путято М.А. ² , Семягин Б.Р. ² , Дмитриев Д.В. ² , Торопов А.И. ² , Валишева Н.А. ² , Просвирин И.П. ³ , Бакулин А.В. ⁴ , Кулькова С.Е. ⁴ , Терещенко О.Е. ^1,2

Affiliations

1	Новосибирский государственный университет, ул. Пирогова, 2, Новосибирск, 630090, Россия
2	Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, пр. Лаврентьева, 13, Новосибирск, 630090, Россия
3	Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, пр. Лаврентьева, 5, Новосибирск, 630090, Россия
4	Институт физики прочности и материаловедения CО РАН, пр. Академический, 2/4, Томск, 634021, Россия

Голяшов В.А. , Преображенский В.В. , Путято М.А. , Семягин Б.Р. , Дмитриев Д.В. , Торопов А.И. , Валишева Н.А. , Просвирин И.П. , Бакулин А.В. , Кулькова С.Е. , Терещенко О.Е.
Магнитные и электрофизические свойства границы раздела HfO2/Si/GaAs(001)
In compilation XI Российская конференция по физике полупроводников. – ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН., 2013. – C.63.

No identifiers

Пока нет цитирований