Перенос кислорода при вакуумном отжиге ультратонкого эпитаксиального слоя Sn/Si | Sciact - CRIS-система Института катализа

Перенос кислорода при вакуумном отжиге ультратонкого эпитаксиального слоя Sn/Si Научная публикация

Журнал

Российские нанотехнологии
ISSN: 1992-7223 , E-ISSN: 1993-4068

Вых. Данные

Год: 2025, Том: 20, Номер: 2, Страницы: 183-187 Страниц : 5 DOI: 10.56304/S199272232560031X

Авторы

Бойков Н.И. ¹ , Чувенкова О.А. ¹ , Паринова Е.В. ¹ , Курганский С.И. ¹ , Макарова А.А. ² , Смирнов Д.А. ³ , Чумаков Р.Г. ⁴ , Лебедев А.М. ⁴ , Титова С.С. ¹ , Супрун Е.А. ⁵ , Герасимов Е.Ю. ⁵ , Турищев С.Ю. ¹

Организации

1	Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2	Свободный университет Берлина, Берлин, Германия
3	Дрезденский технологический университет, Дрезден, Германия
4	Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва, Россия
5	Федеральный исследовательский центр “Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН”, Новосибирск, Россия

Информация о финансировании (1)

Российский научный фонд

23-22-00465 (123020800105-0)

Изучены морфология и особенности физико-химического состояния эпитаксиально сформированных пяти монослоев олова на границе раздела с тонким буферным слоем кремния на кремнии и трансформация эпитаксиальной структуры в результате термического отжига in situ с точки зрения зарядового состояния атомов кремния. Применены рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия с использованием синхротронного излучения и растровая электронная микроскопия. Показана возможность транспорта атомов кислорода к буферному слою кремния при хранении структур в лабораторных условиях. Отжиг в сверхвысоком вакууме вызывает перестройку поверхности таких структур, что сопровождается перераспределением атомов кислорода к открывающейся поверхности эпитаксиального кремниевого буфера с образованием тонкого слоя SiO2 и сборкой олова в кластеры на этой поверхности.

Бойков Н.И. , Чувенкова О.А. , Паринова Е.В. , Курганский С.И. , Макарова А.А. , Смирнов Д.А. , Чумаков Р.Г. , Лебедев А.М. , Титова С.С. , Супрун Е.А. , Герасимов Е.Ю. , Турищев С.Ю.
Перенос кислорода при вакуумном отжиге ультратонкого эпитаксиального слоя Sn/Si
Российские нанотехнологии. 2025. Т.20. №2. С.183-187. DOI: 10.56304/S199272232560031X РИНЦ

Поступила в редакцию:	28 нояб. 2024 г.
Принята к публикации:	3 дек. 2024 г.
Опубликована online:	28 июл. 2025 г.

РИНЦ:

82669924

Пока нет цитирований