Применение комбинационного рассеяния света для анализа нанокластеров аморфного кремния в плёнках нестехиометрического нитрида кремния, применяющихся в элементах флэш-памяти и в матрицах резистивной памяти - Conference attendances | Sciact - CRIS-system of Boreskov Institute of Catalysis

Применение комбинационного рассеяния света для анализа нанокластеров аморфного кремния в плёнках нестехиометрического нитрида кремния, применяющихся в элементах флэш-памяти и в матрицах резистивной памяти Conference attendances

Language

Русский

Participant type

Устный

Conference

Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований»
05-09 Jun 2023 , Новосибирск

Authors

Volodin Vladimir Alekseevich ^1,2 , Gritsenko Vladimir Alekseevich ^1,3 , Kamaev Gennadiy N. ¹ , Cherkova S. G. ¹ , Azarov Ivan A. ^1,2 , Novikov Yurij Nikolaevich ¹ , Gismatulin Andrei A. ¹ , Prosvirin Igor Petrovich ⁴

Affiliations

1	Rzhanov Institute of Semiconductor Physics SB RAS
2	Novosibirsk National Research University
3	Novosibirsk State Technical University
4	Boreskov Institute of Catalysis SB RAS

Володин В.А. , Гриценко В.А. , Камаев Г.Н. , Черкова С.Г. , Азаров И.А. , Новиков Ю.Н. , Гисматулин А.А. , Просвирин И.П.
Применение комбинационного рассеяния света для анализа нанокластеров аморфного кремния в плёнках нестехиометрического нитрида кремния, применяющихся в элементах флэш-памяти и в матрицах резистивной памяти
Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» 05-09 июн. 2023